SLESDA6V1L ESD防静电二极管

SLESDA6V1L是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护连接到数据和传输线路的组件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击的影响。使用IEC61000 - 4 - 2空气放电方法时，所有引脚均能承受30kV的ESD脉冲。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESDA6V1L

商品封装:SOT-23

包装方式:编带

商品毛重:0.033667克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLESDA6V1L 是一款通用型、单向单路 ESD/TVS 瞬态电压抑制二极管，采用超小型 DFN1006-2L 封装。专为 3.3V 至 5V 电压等级的低压系统、敏感信号线及 I/O 接口提供静电防护。器件响应速度极快，钳位电压低，且具备超低电容特性，几乎不影响高速信号传输，满足 IEC 61000-4-2 最高等级 ESD 防护标准。非常适合用于手机、便携数码设备及各类对信号完整性有要求的通用型电路保护。

二、产品优势

超低电容设计：典型结电容仅 0.6pF，最大限度减少对信号传输的干扰，适配高速数据线路。
高等级 ESD 防护：支持 ±22kV 接触放电与 ±22kV 空气放电，完全符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准。
快速响应、低钳位：纳秒级响应速度，低钳位电压设计，能迅速将瞬态电压钳制在安全水平，保护后端芯片。
低漏电流、低功耗：静态漏电流极低，不增加系统功耗，适合电池供电的便携设备。
超微型封装：采用 DFN1006-2L 微型封装，尺寸极小，有效节省 PCB 布板空间。
无极性、双向保护：具备双向导通能力，无正负极之分，布线简单便捷。
环保可靠：符合 RoHS 环保指令，无卤素设计，宽温工作范围适应各种应用场景。

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：6.0V
反向击穿电压（VBR）：≥7.0V（测试条件：IT=1mA）
反向漏电流（IR）：≤1.0μA（测试条件：VRWM=6.0V）
钳位电压（VC）：典型 10.0V@1A；典型 18.0V@5A（8/20μs 脉冲）
结电容（CJ）：典型 0.6pF（测试条件：VR=0V、f=1MHz）
峰值脉冲功率（Ppk）：60W（8/20μs 波形）
峰值脉冲电流（IPP）：5.0A
ESD 防护等级：±22kV（接触 / 空气放电）
工作温度：-40℃ ~ +125℃
封装形式：DFN1006-2L

四、应用领域

智能手机、智能手表及各类便携穿戴设备
平板电脑、笔记本电脑及个人数字助理（PDA）
数码相机、MP3 播放器等音频 / 视频设备
通用型 I/O 接口、USB 线路、传感器线路
消费类电子、智能家居设备的低压信号防护

五、注意事项

焊接温度：最大焊接温度为 260℃，避免长时间高温焊接，防止器件损坏。
安装位置：为获得最佳防护效果，器件应尽量靠近被保护的接口或信号输入端安装，以缩短走线。
极性说明：虽然是双向无极性器件，但安装时请确保引脚连接正确，避免短路。
布线建议：接地端应尽可能直接连接到主地平面，以优化浪涌能量的泄放路径。
使用限制：本品为低压保护器件，不可用于高压强电场景，严禁超过额定参数使用。
静电防护：器件属于静电敏感器件，在存储、搬运和焊接全过程中需严格执行防静电操作。

名称

标题

说明

SLESDA6V1L SOT-23 .pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！