SLESD8Z5.0 ESD防静电二极管

是单向TVS二极管，采用领先的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。采用超小1.0×0.6×0.5mm无铅DFN封装。小尺寸和高ESD浪涌保护使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESD8Z5.0

商品封装:DFN1006-2L

包装方式:编带

商品毛重:0.010562克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLESD8Z5.0 是一款5V、单路、单向、超小型 DFN1006-2L 封装 ESD/TVS 保护二极管，专为手机、便携设备、电源与电池线路提供 **±30kV 超高等级 ESD** 与雷击浪涌防护。器件响应快、钳位低、体积极小，满足 IEC 61000-4-2/4-5 标准，是高密度便携设备的理想保护方案。

二、产品优势

超高 ESD 防护：±30kV 空气 / 接触放电，远超 Level 4 标准，抗静电能力极强。
超小封装：DFN1006-2L（1.0×0.6mm），节省 PCB 空间，适合高密度板设计。
低钳位电压：保护阈值低，对后端敏感芯片更安全。
低漏电流：nA 级漏流，系统功耗极低，适配电池供电设备。
快速响应：亚纳秒级响应，瞬间钳位抑制瞬态高压。
浪涌兼容：支持 IEC 61000-4-5 8A 雷击浪涌防护。
环保合规：无卤素、RoHS、无铅制程，工业级宽温稳定。

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：5.0V
反向击穿电压（VBR）：6.0~7.9V（典型 6.7V，Ir=1mA）
漏电流（IR）：≤200nA（VRWM=5V）
钳位电压（VC）：典型 8.0V@1A；典型 13.0V / 最大 14.0V@8A
结电容（CJ）：典型 55pF，最大 60pF（VR=0V，f=1MHz）
峰值脉冲功率：112W
峰值脉冲电流：8A
ESD 等级：±30kV（空气 / 接触）
工作温度：-40℃~+125℃
封装：DFN1006-2L

四、应用领域

手机、智能穿戴、手持便携设备
设备电源线路、VBAT 电池引脚保护
数码相机、音频播放器
便携式电子产品 I/O 与电源接口防护

五、注意事项

焊接温度最高 260℃/10s，避免长时间高温损坏器件。
本品为单向保护，需区分阳极（A）与阴极（K），严禁反接。
尽量靠近被保护端口放置，缩短走线以提升防护效果。
属于静电敏感器件，生产、搬运、焊接需做好防静电措施。
严禁超额定电压 / 电流使用，避免永久性失效。

名称

标题

说明

SLESD8Z5.0 DFN1006-2L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！