SLESD8LL5.0C ESD防静电二极管

飞法拉第双向静电放电 (ESD) 保护二极管，采用无铅超小型 DFN1006 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态造成的损坏。极低的电容、高 ESD 最大额定值和超小封装的结合，使该器件非常适合高速数据线保护和天线保护应用。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESD8LL5.0C

商品封装:DFN1006-2L

包装方式:编带

商品毛重:0.01115克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLESD8LL5.0C 是一款5V、单路、双向、飞法级超低电容 ESD/TVS 保护二极管，采用超小型 DFN1006-2L 封装，专为高速数据接口提供静电与瞬态过压保护。器件具备 0.35pF 极低电容、nA 级漏流、＜1ns 超快响应，满足 IEC 61000-4-2 Level 4 标准，是 USB3.0、HDMI、SATA、千兆以太网等高速信号的理想防护方案。

二、产品优势

飞法级超低电容：典型 0.35pF，几乎不影响高速信号传输。
双向无极性保护：接线方便，不用区分正负极，设计更灵活。
高等级 ESD 防护：±25kV 接触 / 空气放电，满足 Level 4 工业标准。
超高速响应：＜1ns 快速钳位，及时抑制瞬态高压。
nA 级低漏流：静态功耗极低，适合电池供电便携设备。
超微型封装：DFN1006-2L（1.0×0.6mm），节省 PCB 空间。
环保高可靠：RoHS 合规、无铅，宽温稳定工作。

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：5.0V
反向击穿电压（VBR）：6.5V~9.0V（IT=1mA）
漏电流（IR）：≤100nA（VRWM=5V）
钳位电压（VC）：16.0V~18.0V@4A（8/20μs）
结电容（CJ）：典型 0.35pF，最大 0.40pF（VR=0V，f=1MHz）
峰值脉冲功率：72W
峰值脉冲电流：4A
工作温度：-40℃~+125℃
封装：DFN1006-2L

四、应用领域

USB3.0、HDMI、SATA/eSATA、DVI
10/100/1000M 千兆以太网
高速数据传输线、天线保护
手机、笔记本、通信设备、电脑外设
对超低电容有硬性要求的高速接口

五、注意事项

焊接温度最高 260℃/10s，避免长时间高温损坏器件。
双向设计无需区分极性，直接接入信号回路即可。
尽量靠近被保护接口放置，缩短走线以获得最佳防护效果。
静电敏感器件，生产、搬运、焊接需做好防静电措施。
严禁超额定电压 / 电流使用，防止永久性失效。

名称

标题

说明

SLESD8LL5.0C DFN1006-2L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！