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BAT54JW 是一款高性能肖特基势垒二极管阵列,采用 SOT-363 小型表面贴装封装,内部集成多个肖特基二极管,适用于高速开关和低电压整流应用。其低正向压降和快速恢复特性使其成为便携式设备、电源管理和信号处理的理想选择。
低正向压降:最大正向压降仅为 1000mV@100mA,典型值更低,提升系统效率。
快速开关响应:反向恢复时间典型值仅为 5ns,适用于高频电路。
低反向漏电流:在 25V 反向电压下,漏电流仅为 2µA(典型值),有助于降低待机功耗。
瞬态与ESD保护:内置PN结保护环,增强器件在恶劣环境下的可靠性。
绿色封装可选:部分型号采用绿色模塑化合物,符合环保要求。
反向重复峰值电压(VRRM):30V
正向连续电流(IO):200mA
正向浪涌电流(IFSM,t=8.3ms):600mA
功耗(PD):200mW
结温(TJ):125°C
存储温度(TSTG):-55°C 至 +150°C
反向击穿电压(V(BR),IR=100µA):30V
反向漏电流(IR,VR=25V):典型值 2µA
正向压降(VF):
IF=1mA 时:典型值 320mV
IF=10mA 时:典型值 400mV
IF=30mA 时:典型值 500mV
IF=100mA 时:最大值 1000mV
总电容(Ctot,VR=1V, f=1MHz):典型值 15pF
反向恢复时间(tfr,IF=10mA, IR=1mA, RL=100Ω):典型值 5ns
高频整流与检测电路
低压电源管理
便携式电池供电设备
信号钳位与保护电路
逻辑电路接口匹配
反向极性保护
工作条件限制:请确保正向电流不超过 200mA,反向电压不超过 30V,以免损坏器件。
热管理:最大功耗为 200mW,结温不得超过 125°C,在高功率应用中需注意散热设计。
焊接注意事项:建议遵循SOT-363封装的推荐焊接曲线,避免过热损坏芯片。
存储与操作:存储温度范围为 -55°C 至 +150°C,避免潮湿或腐蚀性环境。
静电敏感器件:虽内置保护环,仍建议在操作过程中采取防静电措施。
















