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SLESD0501CM防静电二极管
SLESD0501CM 是单通道双向低容瞬态电压抑制 TVS 二极管，采用 DFN1006 超微型贴片封装，无卤且符合 RoHS 环保标准，单颗器件仅保护 1 路数据线或 VCC 电源线路。器件具备超高 30kV 接触 / 空气静电防护能力、优秀钳位性能、极低漏电流与低寄生电容，响应速度快，封装体积极小，专为 PCB 空间紧张的便携数码、通信设备设计，可吸收 ESD、EFT 各类电压浪涌，保护 MCU、射频、接口等电压敏感芯片，采用 7 寸载带包装，单卷 10000pcs 适配全自动 SMT 量产。
品牌名称:Slkor(萨科微)
商品型号:SLESD0501CM
商品封装:DFN1006
包装方式:编带
商品毛重:0.01042克(g)
一、产品概述
SLESD0501CM 是单通道双向低容瞬态电压抑制 TVS 二极管，采用 DFN1006 超微型贴片封装，无卤且符合 RoHS 环保标准，单颗器件仅保护 1 路数据线或 VCC 电源线路。器件具备超高 30kV 接触 / 空气静电防护能力、优秀钳位性能、极低漏电流与低寄生电容，响应速度快，封装体积极小，专为 PCB 空间紧张的便携数码、通信设备设计，可吸收 ESD、EFT 各类电压浪涌，保护 MCU、射频、接口等电压敏感芯片，采用 7 寸载带包装，单卷 10000pcs 适配全自动 SMT 量产。
二、产品特性
1. 极限额定参数（TA=25℃）
- ESD 防护等级：IEC61000-4-2 ±30kV 接触放电、±30kV 空气放电
- EFT 抗扰能力：40A（5/50ns 脉冲）
- 峰值脉冲功率（8/20μs 波形）：400W
- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
- 存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
- 回流焊耐受条件：260℃峰值温度，最长 10 秒
2. 标准电气参数（TA=25℃，1MHz 测试）
- VRWM 反向额定工作电压：5V
- VBR 反向击穿电压（IT=1mA）：5.8V~9.0V
- IR 反向漏电流（VRWM=5V）：最大 1.0μA
- VC 钳位电压：
- IPP=1A，8/20μs：≤9.8V
- IPP=20A，8/20μs：典型 12V，最大 15V
- CJ 结电容（VR=0V，1MHz）：典型 33pF，最大 40pF
3. 封装与包装规格
- 封装：DFN1006 超微型贴片，尺寸 1.0mm×0.6mm，UL94V-0 阻燃塑封
- 环保规格：无卤、RoHS 合规
- 包装：7 寸 8mm 载带，每卷 10000pcs
- 功能：单通道双向防护，适配单路信号 / 电源线路
三、产品优势
- 超高 30kV 全规格静电防护接触、空气放电均达 ±30kV，远超常规 ESD 器件，防护能力强，应对严苛工业、户外静电环境。
- 400W 大功率浪涌吸收可承受大峰值脉冲电流，兼顾 ESD、EFT 电快速脉冲双重干扰抑制。
- DFN1006 极致微型封装仅 1.0×0.6mm，大幅节省 PCB 空间，适配超薄手机、穿戴设备、小型传感器。
- 双向对称保护正负向浪涌均可泄放，无需区分信号极性，布线设计更简单。
- 低漏电流静态损耗小5V 工况漏电流最高仅 1μA，电池类便携设备待机功耗几乎无增加。
- 低钳位电压浪涌冲击时电压抬升幅度低，最大程度降低后端 IC 承受应力，避免芯片损坏。
- 低寄生结电容典型 33pF，兼顾低速 IO 与中高频信号线路，信号衰减可控。
- 宽温全域稳定-55℃~150℃全程电气参数稳定，车载、工业、户外高低温设备均可长期使用。
四、应用领域
- 手机、蓝牙耳机、智能手表等便携穿戴设备信号口 ESD 防护
- 笔记本、台式机、服务器串口、并口、外设接口浪涌保护
- PDA、便携检测仪器、手持终端 MCU 主控线路保护
- 通信网络设备、路由器、交换机低速信号端口
- 小型开关电源、适配器控制板 VCC 电源线路防护
- 各类基于单片机的小型电子设备 IO 口防静电
- 数码相机、摄像设备数据线、控制信号线保护
五、注意事项
- PCB 布局要求器件紧贴接口连接器引脚摆放，地线短粗就近大面积铺铜，减小接地阻抗，提升钳位抑制效果。
- 电压使用限制线路常态电压不可长期超过 5V 额定工作电压，否则漏电流大幅上升，加速器件老化失效。
- 脉冲功率降额环境温度升高后需降低可承受峰值脉冲功率，150℃极限温度禁止承载浪涌电流。
- 高频场景选型提示本产品结电容 33~40pF，不适合 HDMI、USB3.0 等超高速差分高频线路，优先选用超低容 ESD 阵列。
- 焊接工艺管控回流焊峰值温度控制 260℃以内，高温停留不超过 10 秒，防止封装分层、电容参数漂移。
- 单通道使用限制仅支持单路信号 / 电源防护，多路接口需对应多颗器件布局。
- 大电流浪涌配合方案若线路存在持续大电流冲击，需串联限流电阻、磁珠分级防护，避免 TVS 过载损坏。
- 焊接焊盘匹配严格按照规格书 DFN1006 标准焊盘设计，焊盘过大 / 过小会造成虚焊、散热不足问题。
名称
标题
说明
数据手册
支持
AU0511P1 静电放电保护器
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
AZ5325-01F瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
AZC199-04ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 15V CJ(pF)： 0.4pF Package： SOT-23-6L
BTRD04A035 静电放电保护器
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
BV-FA05UCAESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
CESD2510LC5VU保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 16V@5A CJ(pF)： 0.8pF Package： DFN2510
CESD882UC5VB ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 22V@4.5A CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
ESD5471X-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.1V IR(uA)： 100nA VC(V)： 8.0V@1A CJ(pF)： 9pF Package： DFN1006-2L
ESD5B5.0-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.8V IR(uA)： 100nA VC(V)： 11V CJ(pF)： 140pF Package： SOT-523
ESD9B5.0ST5G-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 100nA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： SOD-923
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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