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SLPESDR0561D ESD防静电二极管
SLPESDR0561D 是单通道双向瞬态电压抑制 ESD 保护二极管，采用 SOD-323 标准贴片封装，专为高速信号、电源线路浪涌防护设计。器件拥有 1.0pF 超低寄生结电容，同时兼容 ESD、EFT、雷击浪涌三级防护标准，峰值脉冲功率可达 400W，可单路保护电源线或高速数据线，适配千兆以太网、USB、无线手持设备等高频场景。产品符合 RoHS 环保标准，采用标准载带卷料，适配全自动 SMT 贴片量产，能快速泄放正负向高压瞬态脉冲，保护 MCU、射频、网口等电压敏感芯片免受静电、雷击损坏。
品牌名称:Slkor(萨科微)
商品型号:SLPESDR0561D
商品封装:SOD-323
包装方式:编带
商品毛重:0.0304克(g)
一、产品概述
SLPESDR0561D 是单通道双向瞬态电压抑制 ESD 保护二极管，采用 SOD-323 标准贴片封装，专为高速信号、电源线路浪涌防护设计。器件拥有 1.0pF 超低寄生结电容，同时兼容 ESD、EFT、雷击浪涌三级防护标准，峰值脉冲功率可达 400W，可单路保护电源线或高速数据线，适配千兆以太网、USB、无线手持设备等高频场景。产品符合 RoHS 环保标准，采用标准载带卷料，适配全自动 SMT 贴片量产，能快速泄放正负向高压瞬态脉冲，保护 MCU、射频、网口等电压敏感芯片免受静电、雷击损坏。
二、产品特性
1. 极限额定参数（TA=25℃）
- 峰值脉冲功率（8/20μs 波形）：400W
- 最大脉冲电流 IPP（8/20μs）：17A
- ESD 防护等级：IEC 61000-4-2 ±30kV 接触放电、±30kV 空气放电
- EFT 抗扰：IEC 61000-4-4 40A（5/50ns）
- 雷击浪涌：IEC 61000-4-5 17A（8/20μs）
- 芯片结温、存储温度：-55℃ ~ +150℃
- 焊接耐受：260℃峰值温度，单次最长 10 秒
2. 核心电气参数（TA=25℃，1MHz 测试）
- VRWM 反向额定工作电压：最大 5.0V
- VBR 反向击穿电压（IT=1mA）：最小值 6.0V
- IR 反向漏电流（VRWM=5V）：最大 1μA
- VC 钳位电压（IPP=17A，8/20μs）：最大 22V
- CJ 寄生结电容（VR=0V，1MHz）：典型 1.0pF，最大 1.5pF
3. 封装与包装规格
- 封装：SOD-323 贴片，UL94V-0 阻燃塑封，双引脚双向结构
- 环保标准：RoHS/WEEE 合规无卤器件
- 包装：标准 8mm 载带卷装，适配高速贴片机
- 功能：单通道双向保护，单颗仅防护 1 路电源 / 信号线
三、产品优势
- 1.0pF 极致超低电容行业同级低容水准，高频信号衰减极小，千兆网口、高速 USB 信号完整性不受破坏。
- 全场景三重浪涌防护同时满足 ESD 静电、EFT 电快速脉冲、雷击浪涌三大安规测试，防护覆盖消费、工业设备。
- 超高 30kV 静电耐受空气、接触放电均达 ±30kV，恶劣静电环境不易失效，设备可靠性大幅提升。
- 400W 大功率浪涌吸收17A 大脉冲泄放能力，雷击、大功率瞬态冲击场景防护稳定。
- 双向对称泄放设计无需区分线路正负极，PCB 布线简单，正负浪涌均可快速钳位。
- 极低静态漏电流5V 工作电压下漏电流≤1μA，电池类手持设备几乎无额外待机功耗。
- 标准 SOD-323 通用封装物料通用性强，焊盘标准化，替换成本低，量产良率高。
- 超宽温稳定性能-55℃~150℃全程参数稳定，车载、户外、工业高低温设备均可长期使用。
四、应用领域
- 10/100/1000M 千兆以太网网口 ESD、雷击浪涌防护
- USB2.0/USB3.0 高速数据接口线路保护
- 手机、无线手持终端、蓝牙模块信号线防护
- PDA 便携仪器、手持检测设备主控 IO 保护
- 路由器、交换机、网卡通信端口浪涌抑制
- 各类 5V 供电电源输入线路防过压、防静电
- 数码相机、无线模块高频传输线静电防护
五、注意事项
- 温度功率降额环境温度超过 25℃时峰值脉冲功率线性衰减，125℃以上大幅降低浪涌承载能力，150℃禁止承受脉冲冲击。
- 线路电压限制常态工作电压不得长期超过 5V，超 VRWM 会导致漏电流激增，加速器件老化损坏。
- PCB 布线规范器件紧贴接口插座引脚放置，地线短粗、大面积铺铜，减小接地阻抗，降低残余钳位电压。
- 高频差分线路使用差分信号每一路独立搭配一颗器件，保证两路寄生电容匹配，避免差分阻抗失衡。
- 大雷击场景搭配强雷击环境建议前端增加磁珠、限流电阻分级防护，防止单颗 TVS 过载烧毁。
- 焊接工艺管控回流焊峰值≤260℃，高温停留控制在 10 秒内，防止塑封开裂、电容参数漂移。
- 通道数量匹配器件为单通道，多路信号线需一一对应布置多颗，不可共用单颗保护多路线路。
- 封装焊盘要求严格遵循 SOD-323 标准尺寸设计焊盘，焊盘过小散热不足，易高温失效。
名称
标题
说明
数据手册
支持
AU0511P1 ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
AZC199-04 ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 15V CJ(pF)： 0.4pF Package： SOT-23-6L
BTRD04A035 ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
BV-FA05UCA ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
CESD2510LC5VU ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 16V@5A CJ(pF)： 0.8pF Package： DFN2510
CESD882UC5VB ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 22V@4.5A CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
ESD5471X-SL ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.1V IR(uA)： 100nA VC(V)： 8.0V@1A CJ(pF)： 9pF Package： DFN1006-2L
ESD5B5.0-SL ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.8V IR(uA)： 100nA VC(V)： 11V CJ(pF)： 140pF Package： SOT-523
ESD9B5.0ST5G-SL ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 100nA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： SOD-923
ESDA14V2L ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 12V VBR min(V)： 13.3V IR(uA)： 1μA VC(V)： 19V CJ(pF)： 130pF Package： SOT-23
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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