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SLESD05D6BU防静电二极管
SLESD05D6BU 是面向高速差分接口开发的单通道超低容瞬态电压抑制 ESD 保护器件，采用 DFN0603 超微型贴片封装，丝印代码 5BU，无卤环保材质。器件寄生结电容典型仅 0.25pF，几乎不衰减高频信号；满足 IEC 61000-4-2 ±20kV 空气、±8kV 接触 ESD、40A EFT、CDM、CDE 多重浪涌标准，单颗可保护 1 路高速数据线 / 控制线。体积仅 0.6×0.3×0.3mm，极致节省 PCB 空间，适配超薄手机、高清显示设备、高速传输接口，7 寸载带单卷 15000pcs，适配高速全自动 SMT 量产。
品牌名称:Slkor(萨科微)
商品型号:SLESD05D6BU
商品封装:DFN0603
包装方式:编带
商品毛重:0.007313克(g)
一、产品概述
SLESD05D6BU 是面向高速差分接口开发的单通道超低容瞬态电压抑制 ESD 保护器件，采用 DFN0603 超微型贴片封装，丝印代码 5BU，无卤环保材质。器件寄生结电容典型仅 0.25pF，几乎不衰减高频信号；满足 IEC 61000-4-2 ±20kV 空气、±8kV 接触 ESD、40A EFT、CDM、CDE 多重浪涌标准，单颗可保护 1 路高速数据线 / 控制线。体积仅 0.6×0.3×0.3mm，极致节省 PCB 空间，适配超薄手机、高清显示设备、高速传输接口，7 寸载带单卷 15000pcs，适配高速全自动 SMT 量产。
二、产品特性
1. 极限额定参数（TA=25℃）
- ESD 防护等级：IEC61000-4-2 空气 ±20kV、接触 ±8kV
- EFT 抗扰能力：40A（5/50ns 脉冲），支持 CDM、线缆放电 CDE 防护
- 峰值脉冲功率（8/20μs）：100W
- 工作温度区间：-55℃ ~ +125℃
- 存储温度区间：-55℃ ~ +150℃
- 回流焊耐受：峰值 260℃，最长 10 秒
2. 核心电气参数（TA=25℃，1MHz 测试）
- VRWM 反向额定工作电压：5.0V
- VBR 反向击穿电压（IT=1mA）：最小值 6.0V
- IR 反向漏电流（VRWM=5V）：最大 100nA
- VC 浪涌钳位电压：
- IPP=1A、8/20μs：≤13V
- IPP=4A、8/20μs：≤25V
- CJ 寄生结电容（VR=0V，1MHz）：典型 0.25pF
3. 封装与包装规格
- 封装：DFN0603 微型贴片，尺寸 0.6mm×0.3mm×0.3mm，UL94V-0 阻燃塑封
- 环保：无卤、合规 RoHS 标准
- 包装：7 寸 8mm 载带，每卷 15000pcs
- 通道：单通道双向 ESD 防护，单颗保护单路信号线路
三、产品优势
- 0.25pF 极致超低电容高速信号传输无畸变，完美适配 USB、HDMI、DP、SATA 等千兆级高频差分线路。
- DFN0603 超小型封装0.6×0.3mm 微型尺寸，超薄穿戴、折叠屏、微型模组等空间受限 PCB 首选。
- 多重浪涌全面防护同时覆盖 ESD、EFT、CDM、CDE 四大干扰测试，适配消费电子、高清设备严苛静电环境。
- 纳安级超低漏电流5V 工作下漏电流最高仅 100nA，电池类产品待机功耗几乎无增加，延长续航。
- 低钳位电压设计浪涌冲击时电压抑制能力优秀，大幅降低后端主控 IC 承受冲击应力。
- 双向对称泄放无需区分信号正负极，PCB 布线简化，正负静电均可快速泄放。
- 超大量产包装容量单卷 15000pcs，减少换卷频次，提升 SMT 生产效率、降低加工成本。
- 宽温稳定可靠-55℃~125℃全温域电气参数稳定，车载、户外、工业小型设备均可使用。
四、应用领域
- HDMI、DVI、DisplayPort 高清视频高速差分接口防静电
- USB 数据线、Serial ATA 硬盘高速传输线路 ESD 防护
- 智能手机、折叠屏、TWS 无线耳机高速信号口
- 笔记本、台式机、服务器外设通信端口
- MDDI 移动显示接口、高清摄像模组控制线
- 超薄便携仪器、微型传感器信号保护线路
- 高速无线模块、穿戴设备 IO 控制信号线
五、注意事项
- 温度功率降额规范环境温度高于 25℃后峰值脉冲功率线性下降，125℃极限温度禁止承受脉冲浪涌。
- 额定电压使用限制线路常态电压不可长期超过 5V，超 VRWM 会造成漏电流上升、器件加速老化。
- PCB 布局要求ESD 器件紧贴接口端子摆放，地线短粗并大面积铺铜，降低接地阻抗，提升钳位效果。
- 差分线路匹配方案差分正负信号线各独立放置一颗器件，保证两路寄生电容一致，避免差分阻抗失衡。
- 大功率浪涌搭配存在持续大电流 / 强雷击场景时，前端搭配磁珠、限流电阻分级防护，防止 TVS 过载烧毁。
- 焊接工艺管控回流焊峰值≤260℃，高温停留严格控制在 10 秒内，避免塑封分层、电容参数偏移。
- 单通道使用限制仅支持单路信号防护，多路接口需一一对应布置对应数量器件，不可共用。
- 微型焊盘设计严格按照 DFN0603 标准焊盘绘制，焊盘过小易散热不足、虚焊，过大浪费 PCB 面积。
名称
标题
说明
数据手册
支持
AU0511P1 静电放电保护器
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
AZ5325-01F瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
AZC199-04ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 15V CJ(pF)： 0.4pF Package： SOT-23-6L
BTRD04A035 静电放电保护器
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
BV-FA05UCAESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
CESD2510LC5VU保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 16V@5A CJ(pF)： 0.8pF Package： DFN2510
CESD882UC5VB ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 22V@4.5A CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
ESD5471X-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.1V IR(uA)： 100nA VC(V)： 8.0V@1A CJ(pF)： 9pF Package： DFN1006-2L
ESD5B5.0-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.8V IR(uA)： 100nA VC(V)： 11V CJ(pF)： 140pF Package： SOT-523
ESD9B5.0ST5G-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 100nA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： SOD-923
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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