产品展示
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SLESD7951ST5G ESD防静电二极管

SLESD7951ST5G 是一款面向高速音频、高速数据线路设计的单通道双向 TVS/ESD 防护器件,采用 DFN1006-2L 超微型贴片封装,丝印代码 JJ,无卤环保材质。器件拥有 0.3pF 极致低寄生电容,可实现 ±25kV 空气、±22kV 接触四级 ESD 防护,峰值脉冲功率 120W,能够快速泄放静电、瞬时高压,避免后端 IC 发生闩锁、损坏。体积仅 1.0×0.6mm,7 寸载带单卷 10000pcs,适配高速 SMT 贴片,专为手机、MP3、数码相机、笔记本等便携设备音频与高速 IO 线路静电防护开发。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESD7951ST5G

商品封装:DFN1006-2L​

包装方式:编带

商品毛重:0.01257克(g)

一、产品概述

SLESD7951ST5G 是一款面向高速音频、高速数据线路设计的单通道双向 TVS/ESD 防护器件,采用 DFN1006-2L 超微型贴片封装,丝印代码 JJ,无卤环保材质。器件拥有 0.3pF 极致低寄生电容,可实现 ±25kV 空气、±22kV 接触四级 ESD 防护,峰值脉冲功率 120W,能够快速泄放静电、瞬时高压,避免后端 IC 发生闩锁、损坏。体积仅 1.0×0.6mm,7 寸载带单卷 10000pcs,适配高速 SMT 贴片,专为手机、MP3、数码相机、笔记本等便携设备音频与高速 IO 线路静电防护开发。

二、产品特性

1. 极限额定参数(TA=25℃)

  1. ESD 防护等级(IEC61000-4-2 四级):±25kV 空气放电、±22kV 接触放电
  2. 峰值脉冲功率(8/20μs):120W,最大峰值脉冲电流 4.5A
  3. 芯片结温上限:150℃
  4. 工作温度范围:-40℃ ~ +125℃
  5. 存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  6. 回流焊最高耐受温度:260℃

2. 核心电气参数(TA=25℃,1MHz 测试)

  1. VRWM 反向额定工作电压:5.0V
  2. VBR 反向击穿电压(IT=1mA):最小值 6.5V
  3. IR 反向漏电流(VRWM=5V):最大 1μA
  4. VC 钳位电压:
    • IPP=1A、8/20μs:典型 12V
    • IPP=4.5A、8/20μs:典型 22V
  5. CJ 寄生结电容(VR=0V,1MHz):典型 0.3pF

3. 封装与包装规格

  • 封装:DFN1006-2L 微型贴片,尺寸 1.0mm×0.6mm,UL94V-0 阻燃塑封
  • 环保标准:无卤、RoHS 合规
  • 包装:7 寸 8mm 载带,每卷 10000pcs
  • 引脚定义:Pin1/2 双向 IO,单通道双向防护

三、产品优势

  1. 0.3pF 极致超低电容几乎无高频信号衰减,音频、USB、高速差分线路不会出现失真、损耗。
  2. 超高四级 ESD 防护±25kV 空气、±22kV 接触放电,严苛静电环境下稳定防护芯片,杜绝闩锁失效。
  3. 120W 大功率浪涌承载可承受 4.5A 峰值脉冲,应对瞬时大冲击,防护冗余充足。
  4. DFN1006 超微型尺寸1.0×0.6mm 极小体积,折叠屏、TWS 耳机、微型模组等空间紧缺 PCB 首选。
  5. 双向无极性设计无需区分信号正负极,布线简单,正负静电均可同步快速泄放。
  6. 纳安级低漏电流5V 工况漏电流≤1μA,手持电池设备几乎无额外待机功耗,延长续航。
  7. 无卤阻燃环保符合全球电子环保法规,UL94V-0 阻燃等级,设备安全系数更高。
  8. 大容量卷装量产单卷 10000pcs,减少 SMT 换料频次,提升贴片效率、降低生产成本。

四、应用领域

  1. 手机、蓝牙耳机、智能手表音频输入 / 输出线路 ESD 防护
  2. MP3 播放器、便携数码设备高速数据 IO 接口
  3. 数码相机、运动相机控制线、通信信号线
  4. 笔记本、掌上工控、PDA 外设端口浪涌抑制
  5. 各类电脑外设、无线通信模块高速传输线路
  6. 超薄便携检测仪器、微型传感器信号回路
  7. 高清音频设备、耳机接口静电保护

五、注意事项

  1. 温度功率降额环境温度高于 25℃后,器件可承载脉冲功率线性下降,125℃禁止承受浪涌冲击。
  2. 电压使用限制线路常态电压不得长期超过 5V,超 VRWM 会导致漏电流上升,加速器件老化损坏。
  3. PCB 布局规范器件紧贴接口插座引脚放置,地线短粗并大面积铺铜,减小接地阻抗,优化钳位效果。
  4. 差分线路匹配差分正负信号线各独立布置一颗器件,保证两路电容一致,避免阻抗失衡造成信号畸变。
  5. 强冲击分级防护雷击、大功率瞬时冲击场景,前端搭配磁珠、限流电阻分级防护,防止 TVS 过载烧毁。
  6. 焊接工艺管控回流焊峰值≤260℃,高温停留时间严格控制在 10 秒内,防止塑封分层、电容参数漂移。
  7. 单通道使用规则单颗仅保护一路 IO,多路信号线需一一对应布置器件,不可共用单颗防护多路。
  8. 微型焊盘设计严格按照 DFN1006 标准尺寸绘制焊盘,焊盘过小散热不足、易虚焊,过大浪费 PCB 面积。
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SLESD7951ST5G DFN1006-2L​.pdf
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