产品展示
产品展示

BFU580Q三极管

本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,适合中功率高频信号放大。

型号:BFU580Q

封装:SOT-89​

包装:编带

毛重:0.1494克(g)

一、产品概述

BFU580Q 是萨科微(Slkor)推出的 NPN 微波低噪声贴片晶体管,采用 SOT-89 封装,采用硅外延工艺制造,具备高功率增益、宽带宽、低噪声、低漏电流、小结电容、大动态范围、优秀电流线性度等特性,专为超高频微波、高频宽带低噪声放大场景设计,适用于中功率高频信号放大应用。

二、产品优势

高频微波放大,增益性能优异 特征频率典型可达 10.5GHz,433MHz、900MHz、1.8GHz 频段具备可观功率增益,适配多频段射频放大。 低噪声、低漏电流 漏电流极小,小结电容,高频下噪声表现好,保障微弱射频信号放大质量。 较大动态范围,线性性能好 适合中功率高频信号放大,信号失真低。 SOT-89 功率贴片封装 散热能力优秀,集电极最大耗散功率 1000mW,适合射频功率放大电路。 宽温工作,可靠性高 结温范围-40℃~+150℃,存储温度-65℃~+150℃,满足工业设备使用需求。

三、核心参数(Tamb=25℃)

型号:BFU580Q(NPN 微波低噪声晶体管)
封装:SOT-89
本体丝印:S58 管
型:NPN 硅外延微波晶体管
集电极-基极电压 VCBO=25V,
集电极-发射极电压 VCEO=12V,发射极-基极电压 VEBO=3V
最大集电极电流 ICM=100mA
集电极耗散功率 PT=1000mW
直流电流放大系数 hFE:60~130(VCE=8V,IC=30mA)
特征频率 fT:最小 10.0GHz,典型 10.5GHz(VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz)
反馈电容 Cre 典型 1.2pF,集电极电容 CC 典型 1.8pF 插入功率增益 | S21|²:433MHz 典型 18.5dB;900MHz 典型 14dB;1800MHz 典型 8.5dB 结温:-40℃~+150℃;存储温度:-65℃~+150℃

四、应用领域

CATV 视频放大器
无线收发射频模块
远距离无线遥控器
安防报警射频电路
模拟、数字无绳电话
超高频微波、高频宽带低噪声放大器
各类中功率高频信号放大电路

五、注意事项

最大集电极连续电流不要超过 100mA,禁止超流运行。 VCEO 最大耐压 12V,电路设计务必留有电压余量,不可超压使用。 SOT-89 封装,注意 PCB 散热设计,功耗大时做好铜箔散热,防止超结温。
高频射频应用,PCB 布线做好阻抗匹配,减少寄生电容电感对射频性能的影响。
焊接控制温度与时间,避免过热损伤芯片。
禁止长期超压、超流、超结温条件下工作。 器件为微波半导体器件,存储、装配做好防静电防护。

名称
标题
说明
BFU580Q S0T-89.PDF
BFU580Q S0T-89.PDF
数据手册
支持

服务热线

0755-83044319

功率器件

二极管三极管

传感器

获取最新报价