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产品概述：
SLESD5Z24CS 是由萨科微（Slkor）生产的 ESD 保护二极管，专为在各种电子设备中提供可靠的静电（ESD）防护而设计。采用 SOD523 封装，适用于对空间要求较高的小型电子应用。
电性能参数：
VRWM（反向工作电压）： 24V
VBR min（最小击穿电压）： 26V
IR（反向漏电流）： 0.1μA
VC（钳位电压）： 40V@4A
CJ（结电容）： 10pF（典型值，最大 12pF）
封装类型： SOD523
产品特点：
- 低反向漏电流：0.1μA 的反向漏电流，有助于降低功耗。
- 高钳位能力：40V@4A 的钳位电压，为设备提供可靠的 ESD 与浪涌保护。
- 紧凑型封装：SOD523 封装适用于小型电子应用，满足对空间要求的设计。
- 低结电容：10pF 的典型结电容有助于在高频应用中减小信号失真。
- 响应速度快：典型响应时间小于 1ns，可以快速泄放静电脉冲。
应用领域：
消费电子：适用于音频设备、数码相机等家用电子产品。
移动设备：用于手机、便携式设备等移动设备，提供可靠的 ESD 保护。
小型电子应用：适用于空间有限的小型电子设备、电源模块等。
名称
标题
说明
数据手册
支持
AU0511P1 ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
AZC199-04 ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 15V CJ(pF)： 0.4pF Package： SOT-23-6L
BTRD04A035 ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
BV-FA05UCA ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
CESD2510LC5VU ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 16V@5A CJ(pF)： 0.8pF Package： DFN2510
CESD882UC5VB ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 22V@4.5A CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
ESD5471X-SL ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.1V IR(uA)： 100nA VC(V)： 8.0V@1A CJ(pF)： 9pF Package： DFN1006-2L
ESD5B5.0-SL ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.8V IR(uA)： 100nA VC(V)： 11V CJ(pF)： 140pF Package： SOT-523
ESD9B5.0ST5G-SL ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 100nA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： SOD-923
ESDA14V2L ESD防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 12V VBR min(V)： 13.3V IR(uA)： 1μA VC(V)： 19V CJ(pF)： 130pF Package： SOT-23
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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