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10问新能源汽车800V绝缘设计
  • 更新日期: 2022-07-27
  • 浏览次数: 91
从全球的技术动向来看,800V高压是电动汽车未来要走的必经之路。但要知道,800V带来的不只是更快的充电效率和更长的续航里程,还有和400V系统相比,更严峻的绝缘和安全挑战。今天我们就通过10个问答Q&A的形式,来探讨800V平台下新能源汽车的绝缘设计问题。 01 问 800V平台下,……
浅析光刻技术演变
  • 更新日期: 2022-07-27
  • 浏览次数: 74
以ASML的光刻机为例,其主要由光源模组(Source)、光罩模组(Reticle)、聚光镜(Optics)和晶圆模组(Wafer)四大模组组成。 图1:ASML High NA光刻机 紫外光从光源模组(Source)生成之后,被导入到照明模组(illumination module……
PCB芯片散热焊盘如何设计?
  • 更新日期: 2022-07-25
  • 浏览次数: 52
01前言 工作中的电路板有许多发热比较大的元器件,比如MOS管、LED、三极管,尤其在满载的情况下更为严重,散热通孔是众所周知的一种通过电路板表面贴装元件的散热方法。 在结构上,板上开有一个通孔,如果该板是单层双面板,则使铜箔连……
如何轻松区别隔离电源和非隔离电源的区别
  • 更新日期: 2022-07-22
  • 浏览次数: 107
在产品设计时,倘若没有考虑应用环境对电源隔离的要求,产品到了应用时就会出现因设计方案的不当导致的系统不稳定,甚至出现高压损坏后级负载的情况,以及出现危害人身财产安全的情况。因此产品设计是否需要隔离至关重要。 ……
GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展
  • 更新日期: 2022-07-05
  • 浏览次数: 148
0 引言 作为新一代固态微波功率器件的代表,GaN 半导体具有高二维电子气浓度、高击穿场强、高的电子饱和速度等特点,在微波大功率器件应用领域有较第一、二代半导体材料显著的性能优势,其输出功率密度可以几倍甚至十几倍于 GaAs 微波功率 FET,满足新一代电子产品对更大功率、更高频率、更小体……
非常详细的阻抗测试基础知识
  • 更新日期: 2022-06-29
  • 浏览次数: 626
一、阻抗测试基本概念 阻抗定义: 阻抗是元器件或电路对周期的交流信号的总的反作用。 AC 交流测试信号 (幅度和频率)。 ……
国产无线充电芯片的技术和应用分析
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 浏览次数: 100
自从100年前物理学家尼古拉·特斯拉提出无线电力传输的构想,“无线充电”技术已经取得了极大的进步,但在商业化应用方面一直进展缓慢。直到最近几年手机无线充电流行起来,“无线充电”这一技术才为大众所熟知,在帮助手机用户摆脱线缆纠缠的同时,开始渗透到更多应用领域,小至TWS耳机和微型IoT传感器,大至厨房电器和电动汽车。 ……
DC/DC的电感下方到底是否铺铜
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 浏览次数: 122
电感有交变电流,电感底部铺铜会在地平面上产生涡流,涡流效应会影响功率电感的电感量,涡流也会增加系统的损耗,同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声,会影响其他信号的稳定性。 在EMC方面来看,在电感底部铺铜,完整的地平面铺铜有利于EMI的设计;现在的电感的生……
MOS管发烫的原因
  • 更新日期: 2022-06-24
  • 浏览次数: 192
MOS管发烫的原因,最近我有用到一个MOS管,MOS管的型号是2N7002,市面上很常见的MOS管,这个MOS管是一个电路的组合,是个自己设计的电路,用来驱动背光电路的,具体的电路图我就不截出来了,我只能说造成我MOS管发烫的原因的话是我栅极驱动波形上升沿速度缓慢,因为我的电路需要频繁的导通和关断,上升沿波形缓慢的结果就是让我的MOS管在电路导通的过程中处于线性导通状态,也就是没有完全导通,所以会发烫,如果做过开关电源的话就知道,MOS管上升沿缓慢代表什么,原因知道的话那就好办了,驱动波形上升沿缓慢,也就
半导体封装技术详解!(收藏)
  • 更新日期: 2022-06-21
  • 浏览次数: 174
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干货 | 技术参数详解,MOS管知识最全收录
  • 更新日期: 2022-06-17
  • 浏览次数: 467
和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。 ……
大厂DC-DC PCB layout建议
  • 更新日期: 2022-06-16
  • 浏览次数: 166
在DC-DC芯片的应用设计中,PCB布板是否合理对于芯片能否表现出其最优性能有着至关重要的影响。不合理的PCB布板会造成芯片性能变差如线性度下降(包括输入线性度以及输出线性度)、带载能力下降、工作不稳定、EMI辐射增加、输出噪声增加等,更严重的可能会直接造成芯片损坏。 ……

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