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产品介绍：
2SK3018W是一款N沟道低压MOS管，工作电压为30V，*大漏极电流为3A，*大功率为350mW，适用于电源管理和电路控制等领域。该器件采用SOT-323封装，具有体积小、重量轻、易于安装等优点。
主要特性：
- N沟道低压MOS管，适用于低电压电路。
- 工作电压为30V，*大漏极电流为3A，*大功率为350mW。
- 导通电阻低，RDS(on)为8Ω@10V,3A。
- 阈值电压低，Vgs(th)为1.5V@250μA。
- SOT-323封装，具有体积小、重量轻、易于安装等优点。
应用领域：
2SK3018W适用于电源管理和电路控制等领域，包括但不限于以下应用场景：
- DC-DC转换器
- 电机驱动器
- 电源管理器
- 电池保护电路
- 手持设备电路
注意事项：
- 在使用过程中应避免过度压力和过度电流，以免器件受损。
- 请按照数据手册中的规定使用该器件。
- 如有疑问，请咨询生产厂商或专业人士。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| 2SK3018W SOT-323.pdf | 2SK3018W SOT-323 | - |
支持
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Longevity
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
VDD(V)：7V VOC(V)：4.275V VOD(V)：2.8V IDD(μA)：2.2μA Package：DFN2x2-6L
