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低压MOS管SL100N03 低压MOS管SL100N03 低压MOS管SL100N03
低压MOS管SL100N03

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):20V

连续漏极电流(Id):6A

功率(Pd):54W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,40A

阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA

产品详情

**SL100N03 低压N沟道MOS管**


SL100N03是一款低压N沟道MOS管,具有低导通电阻和高电路密度特性,适用于电源管理、DC-DC转换器和半导体开关等应用。


**参数**


- 漏源电压(Vdss):20V

- 连续漏极电流(Id):6A

- 功率(Pd):54W

- 导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ @ 10V, 40A

- 阈值电压(Vgs(th)):3V @ 250μA


**封装**


- TO-252:3引脚表面贴装封装,尺寸为6.5x6.1x1.7mm,便于集成设计和布局。


**应用**


- 电源管理

- DC-DC转换器

- 半导体开关

- LED驱动器

- 负载开关


**产品优势**


- 低导通电阻:3.5mΩ的导通电阻可以减少功率损耗,提高转换效率。

- 高电路密度:小尺寸的TO-252封装可以实现高密度、紧凑型设计。

- 低阈值电压:3V的阈值电压可以在低电压环境下有效控制MOS管的导通状态。


**注意事项**


- 请根据应用需求正确选择驱动电路和散热设计。

- 在正常使用过程中,避免过电压、过电流和超温度等情况发生,以保证设备的长寿命和可靠性。


**包装**


SL100N03按照工业标准进行包装,供应方式为盘装或卷装,便于生产线自动化贴装。

SL100N03 TO-252_0.jpg


服务热线

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