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萨科微 SL12010B 碳化硅肖特基势垒二极管:1200V 28A TO‑220‑2 功率半导体器件
2026-09-19
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SL12010B 是萨科微推出的 TO-220-2 封装碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管,该器件具备 1200V 高反向耐压,25℃壳温条件下正向持续电流可达 28A。器件拥有零反向恢复电流、开关特性几乎不受温度影响、高工作结温等碳化硅器件固有优势,适合高频高压功率变换场景,广泛用于 PFC 变换器、逆变器、开关电源、太阳能升压电路。
一、核心产品参数
1、最大极限额定参数
- 重复反向峰值电压\(V_{RRM}\)/ 直流反向电压\(V_{DC}\):1200V
- 正向持续电流\(I_F\):28A(Tc=25℃);10.5A(Tc=150℃)
- 非重复浪涌电流\(I_{FSM}\):55A(10ms 正弦半波)
- 总耗散功率\(P_{tot}\):153W(Tc=25℃);25W(Tc=150℃)
- I²t:15 A²·S
- 存储温度\(T_{stg}\):-55℃~+175℃;工作结温\(T_j\):-55℃~+175℃
2、关键电气特性
- 正向压降\(V_F\)(IF=10A):1.56V (typ)/1.8V (max)@25℃;2.2V (typ)/3V (max)@175℃,正向电压正温度系数
- 反向漏电流\(I_R\)(VR=1200V):2.5μA(typ)/50μA(max)@25℃;12.5μA(typ)/175μA(max)@175℃
- 总存储电荷\(Q_C\):62nC(VR=800V)
3、热阻与封装
- 结-壳热阻\(R_{th(j-c)}\):最大 0.98℃/W
- 封装 TO-220-2;外壳为阴极,2 脚为阳极
二、产品核心特性
- 高耐压高结温:1200V 耐压,最高结温可达 175℃,耐受高温工况。
- 优异高频开关能力:零反向恢复电流、零正向恢复电压,开关性能几乎不受温度影响,开关损耗低。
- 正温度系数 VF:结温升高正向电压增大,多管并联不易发生热失控。
- 抗浪涌能力强:可承受 55A 短时浪涌电流,抵抗瞬时电流冲击。
- 低存储电荷:\(Q_C\)小,开关噪声低,降低 EMI。
- TO-220-2 功率封装:可装配散热器,外壳阴极等电位,适合大功率设备。
三、主要应用领域
- 太阳能升压器,作为升压回路整流器件
- 逆变器反并联续流二极管
- 维也纳三相 PFC 整流变换器
- 大功率 AC-DC 变换器高压整流、续流
- 工业高频开关电源
四、工程设计使用建议
- 电压降额:工作电压需预留安全余量,避免电压尖峰击穿器件。
- 电流功率降额:壳温升高,允许电流、功耗需要降额,结温不可长期接近 175℃上限。
- 散热装配:TO-220-2 外壳与阴极等电位,散热器务必做好绝缘;使用导热硅脂减小接触热阻。
- 并联扩流:VF 正温度系数支持并联,保证布线阻抗、器件温度均衡,优化均流。
- 高温漏电流:高温会显著增大反向漏电流,需要评估由此带来额外发热。
- 故障防护:具备短时浪涌能力,但无法承受长时间短路,需增加熔断器等保护。
- 引脚核对:外壳为阴极,2 引脚为阳极,防止阴阳极接反造成器件直接损坏。
五、产品总结
SL12010B 是 1200V/28A 的 TO-220-2 碳化硅肖特基二极管。对比传统硅快恢复二极管,它具备零反向恢复、高结温等优势,大幅降低高频开关损耗,适合光伏、三相 PFC、逆变器、大功率开关电源等高压大功率场景。实际工程中需要做好电压、电流、功率降额,重视散热绝缘设计,配套合理保护电路,保障系统长期稳定运行。
萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石
萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对“稳健可靠,精益求精”产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的“先锋”,更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的“基石”。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。


萨科微slkor荣誉资质和科研成果
关于萨科微slkor:
宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。
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