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数字晶体管DTA123JUA 数字晶体管DTA123JUA 数字晶体管DTA123JUA
数字晶体管DTA123JUA

晶体管类型-

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):1A

功率(Pd):200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):0.3V@5mA

特征频率(fT):250MHz

工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

产品详情

产品概述:

DTA123JUA 是由萨科微(Slkor)生产的 NPN 型数字晶体管,适用于多种应用场景。该晶体管具有高集电极击穿电压、适度的集电极电流和低功耗的特点。采用适用于表面贴装的封装,适用于各种电子设备。


关键特性:

晶体管类型: NPN - 面向负正负型晶体管的 NPN 型设计。

集射极击穿电压(Vceo): 50V - 提供较高的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): 1A - 具有适度的集电极电流能力。

功率(Pd): 200mW - 适用于低功耗电子设备。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.3V @ 5mA - 低饱和电压设计。

特征频率(fT): 250MHz - 适用于高频应用。

工作温度: -55℃~+150℃ - 适用于广泛的温度环境。

应用领域:

数字逻辑电路

放大器和放大电路

电源管理系统

通信设备

LED 驱动器

性能优势:

较高的击穿电压: 50V 的击穿电压,适用于中到高压应用。

适度的集电极电流能力: 1A 的集电极电流,适用于多种应用场景。

低功耗: 200mW 的功率,适用于低功耗电子设备。

低饱和电压设计: 0.3V 的饱和电压,有助于降低功耗。

较高的特征频率: 250MHz 的特征频率,适用于高频应用。

安装与使用:

DTA123JUA 采用适用于表面贴装的封装。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保[敏感词]性能和稳定性。


注意事项:

在使用 DTA123JUA 时,请根据产品手册提供的电气特性和[敏感词][敏感词]额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系萨科微(Slkor)客户服务团队。

DTA123JUA SOT-323_0.png

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0755-83044319

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