5G时代，我们需要什么样的晶圆？--全球CEO峰会精彩看点

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2022-03-10 13:39:26 0

随着5G的快速发展， RF半导体设计者都在挖空心思为5G系统寻找新材料和新设计/架构。

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图1：5G系统需要新的半导体材料。

由于5G使用不同的高频频段来实现高速数据传输，因此5G RF前端模块所需要的功率放大器、滤波器、开关、LNA和天线调谐器的需求量倍增，速度之快令人措手不及。对于智能手机设计者来说，庞大的零部件数量（其中许多仍是独立部件）很让人头疼，他们必须将所有这些RF模块全部塞到一部5G手机里。
5G智能手机开发商也担心RF器件的质量、散热和能效问题，因为这些都可能降低RF前端模块的性能。
“因此，越来越多的RF芯片设计公司都在寻找新的材料和衬底，以满足5G RF的严格要求。”Soitec公司CEO Paul Boudre先生表示，利用SOI技术，可为这些新兴领域提供价格低、性能好、可靠性高的方案。

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Soitec已经在SOI晶圆方面取得了巨大成功，准备进军化合物材料的新*来扩展其业务。Boudre提到，Soitec计划为芯片厂商“开发、制造和提供基于Soitec工程衬底的新材料”。Soitec研发的新材料包括：

压电绝缘体(POI)工程衬底——用于生产高性能表面声波(SAW)滤波器组件，主要针对4G和5G新无线电(NR)波段。

硅基氮化镓(GaN-on-Si)和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片。Soitec去年收购了位于比利时的Imect子公司EpiGaN，获得了外延片开发和制造技术。通过将EpiGaN融入到公司中，同时购买必要的工具，Soitec计划进入需求庞大的5G GaN功率放大器市场。

Soitec将于今年开始交付碳化硅（SiC）晶圆样品，这是基于其Smart Cut专有技术而开发的。

Soitec的Smart Cut工艺可让Soitec工程师指定材料，并从这些材料上生长单晶层，然后将这些生长层从一个衬底转移到另一个衬底。这样就有可能形成晶圆片的活性层，独立于支撑机械基底进行控制管理。
Soitec公司CEO Paul Boudre先生已确认参加2020年11月5日在深圳举办的ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”（点击查看峰会介绍与报名），届时将发表主题为《优化衬底赋能边缘计算》的精彩演讲。
ASPENCORE 第三届全球双峰会依然选择在全球包容性最强的深圳举办，邀请全球电子行业话语性最强的*人物聚集一堂，与全行业与会嘉宾和观众分享碰撞最热门的技术话题，助力电子行业从业者把握市场未来。
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