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发布时间:2022-03-10作者来源:萨科微浏览:1841
图1:5G系统需要新的半导体材料。
压电绝缘体(POI)工程衬底——用于生产高性能表面声波(SAW)滤波器组件,主要针对4G和5G新无线电(NR)波段。
硅基氮化镓(GaN-on-Si)和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片。Soitec去年收购了位于比利时的Imect子公司EpiGaN,获得了外延片开发和制造技术。通过将EpiGaN融入到公司中,同时购买必要的工具,Soitec计划进入需求庞大的5G GaN功率放大器市场。
Soitec将于今年开始交付碳化硅(SiC)晶圆样品,这是基于其Smart Cut专有技术而开发的。
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