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SLESDBL7V0D3是一款高性能的静电放电(ESD)保护二极管,专为保护敏感电子元器件免受静电放电事件损害而设计。该二极管集成了先进的半导体技术,能够在极短的时间内将静电电荷安全地引导至地,有效防止因静电累积导致的电路故障或*性损坏。SLESDBL7V0D3以其*的电气特性和紧凑的封装尺寸,成为众多电子设备中不可或缺的静电保护元件。
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产品介绍:SLESDBL7V0D3 ESD静电保护二极管
一、产品概述
SLESDBL7V0D3是一款高性能的静电放电(ESD)保护二极管,专为保护敏感电子元器件免受静电放电事件损害而设计。该二极管集成了先进的半导体技术,能够在极短的时间内将静电电荷安全地引导至地,有效防止因静电累积导致的电路故障或*性损坏。SLESDBL7V0D3以其*的电气特性和紧凑的封装尺寸,成为众多电子设备中不可或缺的静电保护元件。
二、产品特性
低反向工作电压(VRWM):7.0V,确保在正常工作电压下,二极管不会对电路造成额外负担。
高击穿电压(VBR min):8.5V,提供足够的保护阈值,以抵御高于正常工作电压的瞬态静电冲击。
低漏电流(IR):2μA,即使在非工作状态下,也能保持极低的功耗,提升系统效率。
高箝位电压(VC):24V,确保在遭遇高能量静电放电时,能够迅速将电压箝制在安全水平,保护后续电路不受损害。
小封装尺寸(DFN1006):采用先进的DFN封装,体积小、重量轻,便于在PCB上高密度集成,节省空间。
低结电容(CJ):120pF,有助于保持信号传输的完整性和速度,减少信号衰减和延迟。
三、产品优势
高效保护:快速响应并有效吸收静电放电能量,保护电子元件免受损害。
高可靠性:经过严格测试验证,确保在各种恶劣环境下均能稳定工作。
低功耗设计:低漏电流特性,有助于延长设备电池寿命,减少能源消耗。
易于集成:小巧的DFN封装,便于自动化装配,提高生产效率。
广泛兼容性:适用于多种电路设计和应用场景,提供灵活的保护解决方案。
四、应用领域
SLESDBL7V0D3静电保护二极管广泛应用于各类需要静电防护的电子设备中,包括但不限于:
手机、平板电脑等便携式电子设备
数据线、USB接口等通讯接口保护
汽车电子、工业控制设备
医疗设备、精密仪器
存储设备、服务器等数据中心设备
五、注意事项
安装时请确保二极管极性正确,避免反向连接。
在使用前,请仔细阅读产品数据手册,了解具体参数和限制条件。
请确保工作电压不超过VRWM,以避免不必要的功耗或损坏。
在进行焊接或组装时,请注意控制温度和时间,避免对二极管造成热损伤。
在静电敏感区域操作时,请佩戴适当的静电防护装备,如静电手环、防静电服等。
通过以上介绍,相信您对SLESDBL7V0D3 ESD静电保护二极管有了更*的了解。选择SLESDBL7V0D3,为您的电子设备提供可靠的静电保护,让您的产品更加稳定、可靠。
文件名称 | 标题 | 说明 |
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SLESDBL7V0D3 SOD-323.pdf | SLESDBL7V0D3 SOD-323 | - |
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