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本产品是一款高性能的ESD保护二极管,专为电子设备中的静电放电(ESD)保护而设计。它能够在各种电子设备中提供可靠的保护,确保电路在面对静电冲击时的稳定性和安全性。
反向工作最大电压(VRWM):5V。在该电压下,二极管处于截止状态,漏电流极低,不会对电路的正常工作产生影响。
反向击穿最小电压(VBR min):6V。当电压达到或超过此值时,二极管开始导通,为电路提供保护。
反向漏电流(IR):1μA。极低的漏电流设计,确保在正常工作状态下不会引入额外的功耗,特别适用于对功耗敏感的应用场景。
正向工作电压(VC):在5A的电流下,正向工作电压为16V。这一特性保证了二极管在高电流通过时仍能保持高效的导通性能,同时保护电路不受过电压的影响。
二极管结电容(CJ):0.8pF。低电容设计使其在高频应用中表现*,适合用于高速信号线路和数据传输,确保信号的完整性和稳定性。
封装类型:DFN2510。紧凑的封装设计,体积小、散热性能好,适合在空间受限的电路板上进行布局和集成。
本产品广泛应用于多种电子设备,包括但不限于:
消费电子:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,保护其内部电路免受静电损害。
通信设备:如路由器、交换机、基站等,确保通信信号的稳定传输。
工业控制:在自动化控制系统中,为敏感的控制电路提供可靠的ESD保护。
汽车电子:在汽车的电子系统中,如车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统等,提供高效的静电防护。
文件名称 | 标题 | 说明 |
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CESD2510LC5VU DFN2510.pdf | - |
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