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在晶圆加工过程中,什么高温退火工艺?
2026-04-17 230
  晶圆高温退火是晶圆加工中通过高温加热与可控冷却,驱动原子重排以修复晶格、激活掺杂、改性薄膜等的热处理工艺,核心是用热能提供原子迁移动能,实现结构与电性能调控。

 具体而言,离子注入后硅晶格会受损,高温退火让硅原子重新排列填补空位,恢复单晶结构;同时热能推动掺杂原子(如硼、磷)进入替代位置,真正激活为载流子,否则掺杂只是“占位”不导电。薄膜生长后也常退火,让氧化硅、氮化硅等更致密,或调整应力改善附着性。温度通常在600℃-1100℃,分快速热退火(RTA,秒级)和炉管退火(_batch,分钟级),前者热预算低适合先进制程,后者均匀性好用于厚膜处理。

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