IGBT主要企业汇总！

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2022-03-17 07:05:49 0

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什么是IGBT

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

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简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等

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目前，士兰微5英寸、6英寸芯片生产线已稳定运行，8英寸芯片生产线也顺利投产，陆续完成了高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET、快回复二极管、MEMS传感器等工艺的研发。
华微电子
官网：http://www.hwdz.com.cn/
吉林华微电子股份有限公司成立于1999年，集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体，官网信息显示其拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年400万片，封装资源为24亿只/年，模块360万块/年。今年4月，华微电子拟募投8英寸生产线项目，600V-1700V各种电压、电流等级IGBT芯片是该项目的重点之一。
华润微
官网：https://www.crmicro.com/
华润微电子即原中航（重庆）微电子有限公司，集半导体设计、研发、制造与服务一体化，以功率半导体器件、功率/模拟集成电路为产业基础，面向工业电子、消费电子、汽车电子、5G通讯市场。具备功率器件、GaN、MEMS传感器等技术开发和制造平台。
华润微拥有国内*条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线，月产能5.1万片，工艺能力0.18微米，以及一条8英寸特种工艺生产线。目前该公司已启动12英寸晶圆生产线及相关配套封测线建设规划，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
扬杰科技
官网：http://www.21yangjie.com/
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展，主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。
据了解，在IGBT方面扬杰科技于2018年3月控股了一条位于宜兴的6英寸晶圆线，目前该生产线已经量产IGBT芯片，主要应用于电磁炉等小家电领域。扬杰科技在互动平台上表示，2018年度，公司IGBT芯片实际产出近6000片。
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模组

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

上海陆芯电子科技

聚焦于功率半导体（IGBT、SJMOS & SiC）的设计和应用，包括芯片、单管和模块。具有以下优势：通过优化耐压终端环，实现IGBT高阻断电压，有效减少芯片面积，达到工业级和汽车级可靠性标准；通过控制少子寿命，优化饱和压降和开关速度；实现安全操作区（SOA）和短路电流安全操作区域SCSOA性能最优；改善IGBT有源区元胞设计可靠性，抑制IGBT的闩锁效应；调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺；实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。

江苏东海半导体

江苏东海半导体科技有限公司成立于2004年12月，注册资金5330万元，现有员工325人，是一家设计研发及封装测试半导体功率器件高新技术企业，我司共投资2.8亿人民币，与我司合作的芯片制造厂投资600亿人民币，我们公司通过了ISO90001质量体系认证、ISO140001环境管理体系认证和TS16949质量管理体系认证，并先后获得无锡市高新技术企业认证和*高新技术企业认证，产品荣获无锡市知名商标及江苏省*商标，是*工商总局认定的守合同重信用企业。江苏东海半导体科技集多项实用专利和发明专利于一身，已经申请各项发明和实用新型专利合计近百项，并授权获江苏省科技部门审批成立江苏省工程技术研究中心，是中国最有竞争力的半导体封测企业之一。

江苏东海半导体科技有限公司始终致力于提升产品品质，在封装、测试设备、封装工艺、以及材料选择上，保持与国际先进水平一致。公司配有ASM自动固晶机、ASM自动焊线机、自动切筋设备、自动测试分选机等设备。公司不断加大对集成电路、功率器件封装的研发投入，在生产加工过程中始终贯彻严格的品质管控体系。公司自成立以来，产品根据不同客户要求符合ROHS和Halogen Free环保认证。公司主要封装TO251、TO252、TO263、TO220、TO220F、TO3P、TO247、SOT、QFN系列。产品系列：MOSFET ,肖特基二极管，快恢复二极管，可控硅，三端稳压，IGBT。

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深圳芯能半导体技术有限公司成立于2013年，由深圳正轩科技、深圳国资委、深圳人才创新基金、达晨创投、方广资本、厦门猎鹰等知名机构联合投资，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片以及大功率智能功率模块的研发、应用和销售。
目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT产品，IGBT单管、IPM、IGBT模块和HVIC四个领域都有完善的产品序列，产品性能国内*。
嘉兴斯达
官网：http://www.powersemi.cc/
嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体元器件尤其是IGBT模块研发、生产和销售服务的*级高新技术企业，其主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功开发近600种IGBT模块产品，电压等级涵盖100V～3300V，电流等级涵盖10A～3600A。
在技术方面，嘉兴斯达已开发出平面栅NPT型1200V全系列IGBT芯片和沟槽栅场中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片，解决了包括8英寸晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火激活技术以及沟槽栅挖槽成型技术等关键工艺技术。
宏微科技
官网：http://www.macmicst.com/
宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于电力电子元器件行业，业务范围包括设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块(CSPM)，并提供高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案。
2018年，宏微科技与北汽新能源成立宏微－北汽新能源IGBT联合实验室，计划从芯片设计到模块设计与封装再到电机控制器设计与生产，联合打造电机控制器产业链。宏微科技年报显示，2018年其电动汽车用IGBT模块在SVG行业应用中逐步放量，同时客户定制化产品也开始批量销售。

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IGBT技术发展历史

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官网：http://www.ncepower.com/
无锡新洁能股份有限公司成立于2013年，主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发设计及销售，主要产品按照是否封装可分为芯片和封装成品，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
目前，无锡新洁能的主要产品包括12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。

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达新半导体官网：http://www.daxin-semi.com/ 宁波达新半导体有限公司成立于2013年，是以海归博士为主创立的一家中外合资的高科技公司，主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，拥有IGBT、MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，建有IGBT产品性能测试、应用及可靠性试验室，拥有一条测试和制造手段完备IGBT模块研发生产线。

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先进半导体官网：http://www.asmcs.com/ 上海先进半导体制造股份有限公司，前身为1988年由中荷合资成立的上海飞利浦半导体公司，拥有5英寸、6英寸、8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路、功率器件的制造，自2004年开始提供IGBT国内、外代工业务。上海先进2008年在国内建立IGBT背面工艺线，具备IGBT正面、背面、测试等完整的IGBT工艺能力，IGBT/FRD的电压范围覆盖650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技术能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、沟槽IGBT等。其6英寸晶圆厂专注于平面IGBT和FRD工艺平台，电压覆盖1200V~6500V，8英寸晶圆厂专注于Trench Field Stop IGBT工艺平台，电压覆盖450V~1700V。

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华润上华官网：http://www.csmc.com.cn/ 无锡华润上华科技有限公司隶属于华润集团旗下负责半导体业务的华润微电子有限公司。华润上华向客户提供广泛的晶圆制造技术，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等标准工艺及一系列客制化工艺平台。
华润上华拥有国内最大的6英寸代工线和一条8英寸代工线，6英寸月产能逾11万片，八英寸生产线目前月产能已达3.5万片，未来整体月产能规划为6万片，制程技术将提升至0.11微米。IGBT方面，华润上华于2012年已宣布开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工艺平台。
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国内IGBT产业链主要公司及主要产品

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公司电话：+86-0755-83044319
传真/FAX：+86-0755-83975897
邮箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李经理

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地址：深圳市龙华新区民治大道1079号展滔科技大厦C座809室

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