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产品名称: SL2309 P沟道中压MOSFET
概述：
SL2309是一款中压P沟道MOSFET，漏源电压为60V，连续漏极电流为1.6A，具有低导通电阻和高速开关特性。此外，该器件还具有低阈值电压和低输入电容等特点，非常适合用于功率开关和DC-DC转换器等应用中。
主要特性：
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：1.6A
- 功率（Pd）：1.5W
- 导通电阻（RDS(on)）：140mΩ @ 10V, 1.5A
- 阈值电压（Vgs(th)）：2V @ 250uA
- 栅极电荷（Qg）：11.3nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：444.2pF @ 30V
- 反向传输电容（Crss）：17.9pF @ 30V
- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
- 封装：SOT-23-3
应用：
- DC-DC转换器
- 电池管理
- 电机驱动
- 电源开关
- LED驱动
注意事项：
- 此器件为静电敏感器件，操作时需注意防静电措施。
- 操作时需注意最大额定电压和电流，以免损坏器件。
- 器件工作温度不应超过规定范围。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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2N7002E中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N沟道
2N7002KDW中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5.0Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N沟道
2N7002KM低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-723 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 2Ω@10V VTH： - P/N： N沟道
2N7002KT中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523-3 VDSS(V)： 60V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2N7002KW中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1.3V@250μA P/N： N沟道
2N7002T中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N沟道
AOD409中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 30A RDSON(Ω)： 30mΩ@-10V,-20A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P沟道
BAS70W-05中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 70V Id(A)： 100mA P/N： N沟道
BSS123中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N沟道
BSS131中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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