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产品展示
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产品介绍：
SL130N04Q是一款P沟道低压MOS管，其漏源电压为40V，连续漏极电流为100A。该器件采用了低导通电阻（1.7mΩ@10V,30A），以及阈值电压为2.4V@250μA的特点，使得其能够在低压情况下实现高电流输出。
该器件采用DFN5x6-8封装，适用于高功率DC-DC转换器、电机驱动、逆变器和电源管理等领域。
产品特性：
1. 高漏源电压：40V
2. 高连续漏极电流：100A
3. 低导通电阻：1.7mΩ@10V,30A
4. 阈值电压：2.4V@250μA
5. 封装：DFN5x6-8
应用领域：
1. 高功率DC-DC转换器
2. 电机驱动
3. 逆变器
4. 电源管理
注意事项：
1. 使用前请仔细阅读产品规格书，确保正确使用。
2. 在使用过程中，请确保器件工作温度不超过其规定的工作温度范围。
3. 需要进行特殊的设计和处理才能确保该器件的ESD（静电放电）性能。
4. 在处理和安装器件时，务必采取适当的防护措施，以防止器件损坏或失效。
5. 请勿将该器件用于任何未经授权的应用场合。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
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支持
支持
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2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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