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产品名称：低压MOS管NTR4003N
产品介绍：
NTR4003N是一种N沟道低压MOS管，适用于DC-DC转换器、电池管理和其他低压应用。该器件具有漏源电压20V、导通电阻1.5Ω和连续漏极电流560mA的特性，可在小型封装中实现高效的功率转换。其阈值电压为1.6V@250μA，具有很好的控制性能，可在低电平下开启并关闭电流通路。
产品特性：
- N沟道低压MOS管，适用于DC-DC转换器、电池管理和其他低压应用
- 漏源电压(Vdss)：20V，可在小型封装中实现高效的功率转换
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V，10mA，具有低导通电阻，可实现高效率的功率转换
- 连续漏极电流(Id)：560mA，适用于小型电源应用
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250μA，具有很好的控制性能，可在低电平下开启并关闭电流通路
- 封装：SOT-23，便于电路板设计和组装
应用领域：
NTR4003N广泛应用于低压应用，特别是DC-DC转换器、电池管理和其他需要高效率低压功率转换的电路中。由于其小型封装和低导通电阻，可在小型电源应用中实现高效率的功率转换。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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