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产品展示
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产品名称：低压MOS管SL6800C
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：2A
功率(Pd)：1.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
封装：SOT-23-6L
产品介绍：
SL6800C是一种低压N沟道MOS管，具有漏源电压为30V和连续漏极电流为2A的特性，可用于各种低电压应用。
该MOS管的封装为SOT-23-6L，具有小巧轻便的特点，方便进行PCB板上的布局和组装。
在10V和2A的条件下，该MOS管的导通电阻（RDS(on)）为90mΩ，具有较低的导通电阻，从而可以减小能耗和热损失。
此外，该MOS管的阈值电压（Vgs(th)）为1.5V@250μA，使得它可以在较低的驱动电压下实现高效的开关控制。
SL6800C还具有1.1W的功率，可在热稳定性方面提供额外的保障。
总之，SL6800C是一种性能卓越的低压N沟道MOS管，适用于多种低电压应用，可提供高效的开关控制和低功耗解决方案。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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