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产品展示
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**SL100N03 低压N沟道MOS管**
SL100N03是一款低压N沟道MOS管，具有低导通电阻和高电路密度特性，适用于电源管理、DC-DC转换器和半导体开关等应用。
**参数**
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：6A
- 功率（Pd）：54W
- 导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ @ 10V, 40A
- 阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250μA
**封装**
- TO-252：3引脚表面贴装封装，尺寸为6.5x6.1x1.7mm，便于集成设计和布局。
**应用**
- 电源管理
- DC-DC转换器
- 半导体开关
- LED驱动器
- 负载开关
**产品优势**
- 低导通电阻：3.5mΩ的导通电阻可以减少功率损耗，提高转换效率。
- 高电路密度：小尺寸的TO-252封装可以实现高密度、紧凑型设计。
- 低阈值电压：3V的阈值电压可以在低电压环境下有效控制MOS管的导通状态。
**注意事项**
- 请根据应用需求正确选择驱动电路和散热设计。
- 在正常使用过程中，避免过电压、过电流和超温度等情况发生，以保证设备的长寿命和可靠性。
**包装**
SL100N03按照工业标准进行包装，供应方式为盘装或卷装，便于生产线自动化贴装。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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