低压MOS管SL100N03

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低压MOS管SL100N03

SL100N03是一款低压N沟道MOS管，具有低导通电阻（3.5mΩ）和高电路密度，适用于电源管理和DC-DC转换器等。其漏源电压为20V，连续漏极电流6A，功率54W，封装为TO-252。

SL100N03是一款低压N沟道MOS管，具有低导通电阻和高电路密度特性，适用于电源管理、DC-DC转换器和半导体开关等应用。

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**SL100N03 低压N沟道MOS管**

SL100N03是一款低压N沟道MOS管，具有低导通电阻和高电路密度特性，适用于电源管理、DC-DC转换器和半导体开关等应用。

**参数**

- 漏源电压（Vdss）：20V

- 连续漏极电流（Id）：6A

- 功率（Pd）：54W

- 导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ @ 10V, 40A

- 阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250μA

**封装**

- TO-252：3引脚表面贴装封装，尺寸为6.5x6.1x1.7mm，便于集成设计和布局。

**应用**

- 电源管理

- DC-DC转换器

- 半导体开关

- LED驱动器

- 负载开关

**产品优势**

- 低导通电阻：3.5mΩ的导通电阻可以减少功率损耗，提高转换效率。

- 高电路密度：小尺寸的TO-252封装可以实现高密度、紧凑型设计。

- 低阈值电压：3V的阈值电压可以在低电压环境下有效控制MOS管的导通状态。

**注意事项**

- 请根据应用需求正确选择驱动电路和散热设计。

- 在正常使用过程中，避免过电压、过电流和超温度等情况发生，以保证设备的长寿命和可靠性。

**包装**

SL100N03按照工业标准进行包装，供应方式为盘装或卷装，便于生产线自动化贴装。

名称

标题

说明

SL100N03 TO-252.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

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