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产品展示
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产品名称
MOS管 SL25N10
品牌
萨科微Slkor
概述
SL25N10是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管。它设计用于在各种电子应用中提供可靠的开关和线性放大。其优秀的电气性能和高功率容忍性使其成为许多应用的理想选择。
电气特性
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 25A
功率(Pd): 34W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V, 15A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.8V@250μA
封装和引脚
SL25N10采用TO-252封装，具有以下引脚：
漏源极 (D): 连接到负极。
栅极 (G): 控制MOSFET的导通。
源极 (S): 连接到负载并接地。
产品优势
高电压容忍性: 适用于各种应用，包括电源系统和电机控制。
高功率处理能力: 可靠地处理大电流和高功率应用。
低导通电阻: 最小化导通损耗，提高能效。
低阈值电压: 有助于实现低压控制和高效能。
应用领域
SL25N10广泛应用于：
电源设计: 包括开关电源和电源适配器。
电机驱动: 用于控制各种类型的电机。
LED照明: 作为高性能LED驱动器的组成部分。
安装和使用
在设计电路和集成SL25N10时，请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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2N7002E中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N沟道
2N7002KDW中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5.0Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N沟道
2N7002KM低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-723 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 2Ω@10V VTH： - P/N： N沟道
2N7002KT中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523-3 VDSS(V)： 60V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2N7002KW中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1.3V@250μA P/N： N沟道
2N7002T中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N沟道
AOD409中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 30A RDSON(Ω)： 30mΩ@-10V,-20A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P沟道
BAS70W-05中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 70V Id(A)： 100mA P/N： N沟道
BSS123中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N沟道
BSS131中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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