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产品展示
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产品名称
MOS管 SL50N06D
品牌
萨科微Slkor
概述
SL50N06D 是一款N沟道MOS场效应晶体管，广泛应用于各种电子设备和电路中。其高漏源电压、连续漏极电流以及TO-252封装使其在高性能应用中表现卓越。
电气特性
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 50A
功率(Pd): 60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V, 25A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250μA
封装和引脚
SL50N06D 采用 TO-252 封装，具有以下引脚：
漏源极 (D): 连接到正极。
栅极 (G): 控制MOSFET的导通。
源极 (S): 连接到负载并接地.
产品优势
高漏源电压: 适用于各种电源应用。
高连续漏极电流: 支持高功率需求。
TO-252封装: 便于安装和散热。
应用领域
SL50N06D 广泛应用于：
电源管理: 用于开关电源和电源逆变器。
电机控制: 适用于电机驱动和控制。
电源逆变器: 用于太阳能和风能转换系统。
安装和使用
在设计电路和集成 SL50N06D 时，请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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2N7002E中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N沟道
2N7002KDW中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 5.0Ω@10V VTH： 2.5V@1mA P/N： N沟道
2N7002KM低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-723 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 2Ω@10V VTH： - P/N： N沟道
2N7002KT中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523-3 VDSS(V)： 60V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 2.5Ω@10V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2N7002KW中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 60V Id(A)： 340mA RDSON(Ω)： 1.1Ω@4.5V,200mA VTH： 1.3V@250μA P/N： N沟道
2N7002T中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 3V@250μA P/N： N沟道
AOD409中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-252 VDSS(V)： 60V Id(A)： 30A RDSON(Ω)： 30mΩ@-10V,-20A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P沟道
BAS70W-05中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 70V Id(A)： 100mA P/N： N沟道
BSS123中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N沟道
BSS131中压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 240V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 9.07Ω@4.5V,0.09A VTH： 1.4V@56μA P/N： N沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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