产品展示
产品展示
FDV301N低压MOS管

特性:0.22 A, 25 V。RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V。RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。非常低的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5 V。用于静电放电防护的栅源齐纳二极管。>6 kV人体模型。可用一个DMOSFET替代多个NPN数字晶体管

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:FDV301N

商品封装:SOT-23​

包装方式:编带

商品毛重:0.034克(g)

产品名称:MOS管FDV301N


生产商:萨科微Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 25V

连续漏极电流(Id): 0.22A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 4Ω @ 4.5V, 0.4A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 0.8V @ 250uA

封装规格:

封装类型: SOT-23

产品特性与应用:

MOS管FDV301N是一款N沟道MOS场效应管,由萨科微Slkor公司生产。其适中的电性能参数和SOT-23封装设计使其适用于多种低功率电子应用。


主要特性:

适中的电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为25V,适用于对电压要求较高的电路设计。

低功率应用: 连续漏极电流(Id)为0.22A,适用于低功率应用场景。

相对低的导通电阻: 在4.5V电压和0.4A电流下,导通电阻为4Ω,有助于降低功耗和提高效率。

低阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为0.8V @ 250uA,有助于确保精确的电路控制。

封装优势:

SOT-23封装提供了紧凑的外形,适用于空间受限的设计。三引脚设计使得它易于集成到各种电子设备中。


应用领域:

MOS管FDV301N广泛应用于多种低功率电子应用,包括但不限于:

信号开关: 用于低功率信号开关电路。

电源开关: 适用于低功率电源开关电路。

LED驱动: 用于LED灯的低功率控制。

安全与可靠性:

MOS管FDV301N经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


总结:

MOS管FDV301N以其适中的电性能和紧凑的SOT-23封装设计,为低功率电子系统提供了稳定可靠的解决方案。在需要适中电压承受能力和低功率的场景下,FDV301N是一个值得考虑的选择。



名称
标题
说明
数据手册
支持

支持

 

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。

服务热线

0755-83044319

功率器件

二极管三极管

传感器

获取产品资料