低压MOS管FDN327N

首页产品分类功率器件 MOS场效应管低压MOS管

显示3D模型

低压MOS管FDN327N

N沟道MOS管FDN327N具有20V漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id）。导通电阻为40mΩ，阈值电压为0.7V，适用于低功耗应用。其小型SOT-23封装设计紧凑，便于高密度电路布局。

FDN327N 是由萨科微（Slkor）生产的 N沟道 MOS场效应管，设计用于低压和低功率应用。其紧凑的 SOT-23 封装和优异的电性能使其在各种小型电子设备中得到广泛应用。

下载数据手册在线咨询

产品详情产品文档技术支持

产品名称：MOS管 FDN327N

生产商：萨科微 Slkor

产品类型：N沟道

产品概述：

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： 20V

连续漏极电流（Id）： 2A

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 40mΩ @ 4.5V, 2.0A

阈值电压（Vgs(th)@Id）： 0.7V @ 250uA

封装类型： SOT-23

产品特点：

低压应用： 20V 的漏源电压适用于低压电路设计。

低功率：连续漏极电流为 2A，适用于低功率需求的场合。

小型封装： SOT-23 封装适用于有限空间和轻量化设计。

应用领域：

便携式设备：用于移动电话、数码相机等低功耗电子设备。

电源管理：在小型电源单元中发挥作用。

传感器接口：适用于传感器信号调理和驱动。

注意：以上信息仅供参考，请查阅详细的产品规格表以获取准确和最新的数据。如需更多信息或特定要求，请随时联系我们。

名称

标题

说明

FDN327N SOT-23.pdf

数据手册

支持

如果您需要设计/技术支持，请告知我们并填写应答表我们会尽快回复您。

服务热线

0755-83044319;手机：15626551216

北斗/GPS天线咨询

板端座子咨询

连接器咨询

获取产品资料

深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，掌握国际的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从一家IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的级高新科技企业,“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。萨科微官网在展示萨科微产品、宣传“SLKOR”品牌的同时，也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等，逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一。