低压MOS管FDN336P

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低压MOS管FDN336P

P沟道MOS管FDN336P具有-20V漏源电压（Vdss）和-1.3A的连续漏极电流（Id）。导通电阻为105mΩ，阈值电压为-0.7V，适用于低功耗应用。其小型SOT-23封装设计紧凑，便于高密度电路布局。

FDN336P 是一款由萨科微（Slkor）生产的 P沟道 MOS场效应管，专为负载开关和功率管理应用而设计。其紧凑的 SOT-23 封装和低阈值电压使其适用于各种小型电子设备。

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产品名称：MOS管 FDN336P

生产商：萨科微 Slkor

产品类型：P沟道

产品概述：

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： -20V

连续漏极电流（Id）： -1.3A

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 105mΩ @ -4.5V, -1.3A

阈值电压（Vgs(th)@Id）： -0.7V @ -250uA

封装类型： SOT-23

产品特点：

负载开关应用：适用于负载开关和功率管理电路。

小型封装： SOT-23 封装适用于有限空间和轻量化设计。

低阈值电压： -0.7V 的阈值电压有助于降低驱动电路的功耗。

应用领域：

移动电子设备：用于手机、平板电脑等便携式设备。

电源管理：在小型电源单元中发挥作用。

负载开关：适用于需要高效能耗的负载开关电路。

注意：以上信息仅供参考，请查阅详细的产品规格表以获取准确和最新的数据。如需更多信息或特定要求，请随时联系我们。

名称

标题

说明

FDN336P SOT-23.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，掌握国际的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从一家IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的级高新科技企业,“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。萨科微官网在展示萨科微产品、宣传“SLKOR”品牌的同时，也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等，逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一。