产品概述

产品优势

1. 双管集成，集成度高：单芯片集成两颗独立 N 沟道 MOS 管，可同时实现双路功率或信号控制，无需额外堆叠器件，大幅简化电路设计、节省 PCB 空间，适配便携式设备与高密度电路板的小型化布局需求。
2. 低压适配，承载稳定：20V 漏源耐压精准覆盖低压应用场景，0.75A 连续漏极电流搭配 1.8A 脉冲漏极电流，二极管连续正向电流达 0.75A，能满足低中功率设备的供电与负载驱动需求，瞬时过载能力突出，适配多种低压功率控制场景。
3. 低导通损耗，能效优异：采用沟槽工艺与优化设计，导通电阻（RDS (ON)）表现出色，VGS=4.5V、ID=0.65A 时典型值仅 100mΩ、最大值 350mΩ；VGS=2.5V、ID=0.55A 时典型值 135mΩ、最大值 400mΩ，有效降低导通过程中的能量损耗，提升电路整体能效。
4. 开关响应迅速，动态性能佳：总栅极电荷仅 0.8nC，栅源电荷 0.3nC、栅漏电荷 0.17nC，驱动损耗小；开启延迟时间 4.2ns、上升时间 19.1ns，关断延迟时间 10.3ns、下降时间 24ns，开关速度快，切换损耗低，完美适配高频功率切换与信号切换场景。
5. 小封装易集成，量产友好：采用 SOT-363 微型贴片封装，外形尺寸仅 2.0mm~2.2mm（长）×1.15mm~1.35mm（宽），高度 0.9mm~1.1mm，极致节省 PCB 空间；编带包装适配自动化贴片产线，焊接便捷，可大幅提升生产效率，降低装配成本。

产品参数（TJ=25℃，除非另有说明）

1. 漏源击穿电压（VDS/BV (BR) DSS）：20V（VGS=0V，ID=250μA）
2. 栅源电压（VGS）：±12V（绝对最大额定值）
3. 连续漏极电流（ID）：0.75A（Tc=25℃，VGS=10V）
4. 脉冲漏极电流（IDM）：1.8A（Tc=25℃）
5. 二极管连续正向电流（IS）：0.75A（Tc=25℃）
6. 最大功耗（PD）：0.15W（Tc=25℃）
7. 结 - 环境热阻（RθJA）：833℃/W（稳态）
8. 工作结温（TJ）：最大值 150℃
9. 存储温度范围（TSTG）：-50℃~155℃
10. 栅极阈值电压（VGS (th)）：最小值 0.35V，典型值 0.7V，最大值 1.1V（VDS=VGS，ID=250μA）
11. 漏源导通电阻（RDS (ON)）：
    • VGS=4.5V、ID=0.65A 时：典型值 100mΩ，最大值 350mΩ
    • VGS=2.5V、ID=0.55A 时：典型值 135mΩ，最大值 400mΩ
    • VGS=1.8V、ID=0.45A 时：最小值 200mΩ，最大值 800mΩ
    
    
12. 零栅压漏极电流（IDSS）：典型值 1μA（VDS=20V，VGS=0V）
13. 栅极体泄漏电流（IGSS）：±20μA（VGS=±12V，VDS=0V）
14. 动态特性（VDS=10V，VGS=0V，f=1MHz）：
    • 输入电容（Ciss）：33pF
    • 输出电容（Coss）：21pF
    • 反向传输电容（Crss）：10pF
    
    
15. 开关特性（VDD=10V，ID=0.5A，VGS=4.5V，RG=10Ω）：
    • 开启延迟时间（td (on)）：4.2ns
    • 上升时间（tr）：19.1ns
    • 关断延迟时间（td (off)）：10.3ns
    • 下降时间（tf）：24ns
    
    
16. 栅极电荷量（VDS=10V，ID=0.5A，VGS=4.5V）：
    • 总栅极电荷（Qg）：0.8nC
    • 栅源电荷（Qgs）：0.3nC
    • 栅漏电荷（Qgd）：0.17nC
    
    
17. 源漏二极管正向电压（VSD）：最大值 1.2V（Tj=25℃，IS=0.5A）
18. 封装形式：SOT-363（顶视引脚：D1 漏极、G2 栅极、S2 源极、S1 源极、G1 栅极、D2 漏极，圆点为 1 脚指示）

应用领域

1. 负载 / 电源开关：智能手机、平板电脑、TWS 蓝牙耳机等便携式设备的电源开关控制，实现低功耗供电切换，适配设备小型化设计需求。
2. 接口切换：物联网终端、微型控制器的接口切换电路，保障信号与功率的稳定切换，适配高密度电路板布局。
3. 逻辑电平转换：不同电压域电路的逻辑电平转换，如 MCU 与外设之间的电平匹配，简化跨电压域通信设计。
4. 消费电子驱动电路：小型 LED 驱动、微型风扇电机驱动等低功率驱动场景，适配高频控制与低功耗需求。
5. 其他低压场景：便携式医疗设备、微型传感器的电源控制电路，以及各类对体积和功耗要求严苛的低压电子设备。

注意事项

1. 电压电流限制：严禁超出绝对最大额定值使用，漏源电压不得超过 20V，栅源电压控制在 ±12V 以内，连续漏极电流不超过 0.75A，避免器件过应力永久性损坏。
2. 静电防护要求：MOS 管栅极绝缘层易受静电击穿，且封装微小更易受损，运输、装配过程中需使用防静电包装，引脚可临时短路；测试与焊接时，工作台、电烙铁、测试仪器需良好接地，操作人员佩戴防静电手环，避免栅极悬空或承受瞬时高压。
3. 焊接工艺规范：采用 SOT-363 封装焊接标准，电烙铁功率建议不超过 30W，焊接时间控制在 2 秒内，可通过镊子夹住管脚根部辅助散热，防止高温损坏器件；封装引脚细小且密集，需精准对位焊接，避免虚焊、短路。
4. 散热设计考量：器件最大功耗仅 0.15W，但结 - 环境热阻较高（833℃/W），连续导通场景下需预留足够散热空间，避免靠近其他发热元件，防止结温超过 150℃。
5. 驱动电路匹配：栅极驱动电压需匹配阈值范围（0.35V~1.1V），驱动电流需满足栅极电荷充放电需求，避免驱动不足导致开关损耗增大；建议在栅极串联合适电阻（如 10Ω），优化开关特性并抑制振荡。
6. 存储与环境防护：存储时需置于干燥、通风环境，温度控制在 - 50℃~155℃，防止器件受潮或引脚氧化；封装体积小，需避免存储过程中受压、碰撞，防止引脚变形或封装破损。
7. 寄生二极管考量：器件内置寄生二极管，正向导通电压最大值 1.2V，可用于反向保护与续流，但在高频场景需评估其开关损耗，必要时额外搭配快恢复二极管优化性能；双管独立工作时，需分别匹配驱动电路，确保同步或独立控制的稳定性。