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产品概述
萨科微 SLE0D50AP 是一款专为低压大电流电池与负载切换设计的 P 沟道 MOS 管，采用高单元密度沟槽工艺与PDFN3X3-8L 微型贴片封装，是新能源、储能、电动工具、服务器电源等低压大功率场景的理想功率开关器件。
产品优势
- 低压大电流，过载能力强：-30V 耐压适配低压系统，-50A 持续电流、-200A 脉冲电流，满足大电流负载与电池回路通断需求，瞬时过载能力突出。
- 超低导通损耗，效率更高：高密度单元结构带来极低导通电阻，VGS=-10V 时仅 6.5mΩ（最大 8mΩ），VGS=-4.5V 时仅 10mΩ（最大 13mΩ），导通损耗极低，温升更小。
- 雪崩能力强，可靠性拉满：完整雪崩电压 / 电流表征，单脉冲雪崩能量 EAS=81mJ，抗冲击与抗感性负载尖峰能力强，长期运行更稳定。
- 开关速度快，动态性能优：总栅极电荷仅 45nC，开启延迟 11ns、上升时间 9.5ns，关断迅速，适合高频硬开关与同步整流电路。
- 小封装大散热，省空间易量产：PDFN3X3-8L 仅 3mm×3mm 微型封装，结 - 环境热阻仅55℃/W，散热优异；适合高密度 PCB 与自动化贴片，大幅节省布板面积。
产品参数（TJ=25℃，除非另有说明）
1. 绝对最大额定值
- 漏源击穿电压 VDS：-30V
- 栅源电压 VGS：±20V
- 连续漏极电流 ID：-50A（Tc=25℃）
- 脉冲漏极电流 IDM：-200A（Tc=25℃）
- 二极管连续正向电流 IS：-50A
- 最大功耗 PD：30W（Tc=25℃）
- 单脉冲雪崩能量 EAS：81mJ
- 结 - 环境热阻 RθJA：55℃/W
- 工作 / 存储温度：-55℃~175℃
2. 关键电气特性
- 栅极阈值电压 VGS (th)：-1.0V ~ -2.2V（典型 - 1.5V）
- 导通电阻 RDS (on)：VGS=-10V 典型 6.5mΩ、最大 8mΩ；VGS=-4.5V 典型 10mΩ、最大 13mΩ
- 零栅压漏电流 IDSS：≤-1μA
- 栅极漏电流 IGSS：±100nA
- 源漏二极管正向电压 VSD：≤-1.2V
3. 动态与开关特性
- 输入电容 CISS：2690pF；输出电容 COSS：495pF；反向传输电容 CRSS：360pF
- 总栅极电荷 Qg：45nC；栅源电荷 Qgs：6.2nC；栅漏电荷 Qgd：13.5nC
- 开启延迟 td (on)：11ns；上升时间 tr：9.5ns
- 关断延迟 td (off)：24ns；下降时间 tf：12ns
4. 封装参数
- 封装形式：PDFN3X3-8L（多漏极 D、源极 S、栅极 G）
- 尺寸：约 3.20mm×3.20mm，标准 3mm×3mm 级微型封装
应用领域
- 电池与负载切换：新能源汽车低压电池、储能电源、移动电源、电动工具充放电回路
- 电源管理系统：DC/DC 转换器、服务器电源、工业电源、大功率适配器
- 消费 / 工业驱动：大功率 LED、电机驱动、家电控制板
- 不间断电源 UPS、高频硬开关电路、充电桩低压控制模块
注意事项
- 电气额定严禁超规：VDS 不低于 - 30V、VGS 在 ±20V 内，连续电流不超过 - 50A，防止过应力损坏。
- 严格防静电：栅极极易 ESD 击穿，装配、焊接、测试必须防静电包装、接地、防静电手环。
- 散热必须到位：30W 功耗与大电流工况下，PCB 需大面积敷铜与良好散热设计，避免结温超 175℃。
- 焊接规范：PDFN3X3-8L 为微型贴片，控制温度与时间，防止虚焊、短路、封装过热变形。
- 驱动匹配：栅极驱动建议匹配 - 1.0V~-2.2V 阈值，串联约 3Ω 电阻抑制振荡，保证快速可靠开关。
- 存储环境：干燥通风，温度 - 55℃~175℃，避免潮湿、氧化、引脚变形与封装破损。
- 体二极管慎用：内置寄生二极管可续流，但高频大电流下需评估反向恢复损耗，必要时外加快恢复管。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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