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产品展示
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产品概述
萨科微 SL0C60A 是一款采用先进沟槽低压功率 MOSFET 工艺打造的N 沟道低压大电流 MOS 管，采用 PDFN3X3‑8L 微型贴片封装，核心规格为25V/60A。产品以超低导通电阻、低栅极电荷、大电流承载能力为核心优势，具备优异的开关性能与散热设计，符合 RoHS、无铅、无卤素环保标准，可在 - 55℃~150℃宽温域稳定工作，是 PWM 控制、电源管理、大电流负载开关等低压大功率场景的理想开关器件。
产品优势
- 低压大电流，输出强劲：25V 耐压适配低压系统，60A 大电流能力，脉冲电流可达 80A，满足大电流负载与大功率回路需求。
- 超低导通电阻，损耗极低：高密度沟槽结构实现极低导通损耗，10V 驱动下典型值仅 3.5mΩ，4.5V 低压驱动仍仅 7.5mΩ，显著降低发热、提升效率。
- 低栅极电荷，开关更快：总栅极电荷仅 33nC，开关速度快、驱动损耗小，非常适合高频 PWM 与硬开关电路。
- 稳定性强，一致性好：阈值电压范围集中、漏电流小，参数均匀性高，长期工作可靠，适合批量量产。
- 微型封装，高密度布局：PDFN3X3‑8L 仅 3mm×3mm 超小体积，节省 PCB 空间，适配自动化贴片，满足便携与工业设备小型化需求。
产品参数（TJ=25℃，除非另有说明）
1. 绝对最大额定值
- 漏源击穿电压 VDS：25V
- 栅源电压 VGS：±20V
- 连续漏极电流 ID：16A（Tc=25℃）
- 脉冲漏极电流 IDM：80A
- 二极管连续正向电流 IS：16A
- 最大功耗 PD：1.5W
- 结 - 环境热阻 RθJA：65℃/W
- 工作结温 TJ：150℃
- 存储温度 TSTG：-55℃~150℃
2. 关键电气特性
- 栅极阈值电压 VGS (th)：1.0V~2.5V（典型 1.5V）
- 导通电阻 RDS (on)：VGS=10V 典型 3.5mΩ、最大 4.5mΩ；VGS=4.5V 典型 7.5mΩ、最大 10mΩ
- 零栅压漏电流 IDSS：≤1μA
- 栅极漏电流 IGSS：±100nA
- 体二极管正向电压 VSD：≤1.2V
3. 动态与开关特性
- 输入电容 CISS：1050pF；输出电容 COSS：220pF；反向传输电容 CRSS：190pF
- 总栅极电荷 Qg：33nC；栅源电荷 Qgs：7nC；栅漏电荷 Qgd：11nC
- 开启延迟 td (on)：6ns；上升时间 tr：20.5ns
- 关断延迟 td (off)：19ns；下降时间 tf：9ns
4. 封装参数
- 封装形式：PDFN3X3-8L（多 D 漏极、S 源极、G 栅极）
- 尺寸级别：3mm×3mm 微型贴片
应用领域
- PWM 应用：电机驱动、LED 调光、变频器、服务器供电模块
- 电源管理：DC/DC 转换器、负载点电源、大功率适配器、储能电源
- 负载开关：大电流供电开关、电池保护开关、工业控制开关
- 其他：便携式大功率设备、电动工具、工业仪表、通信设备
注意事项
- 严格不超额定值：VDS≤25V、VGS 在 ±20V 以内，连续电流不超额定，避免过应力损坏。
- 防静电措施：MOS 栅极极易被 ESD 击穿，装配、焊接、测试必须做好防静电接地与防护。
- 散热设计要充足：大电流工况下 PCB 需加大敷铜面积，保证散热通路，避免结温超过 150℃。
- 焊接规范：微型封装焊接温度与时间要控制，防止虚焊、短路、封装变形。
- 驱动匹配：驱动电压建议匹配 1.0V~2.5V 阈值，栅极串 2.5Ω 左右电阻抑制振荡。
- 存储环境：干燥、通风、防尘防潮，温度 - 55℃~150℃，防止引脚氧化与封装受损。
- 体二极管使用：内置续流二极管可用于感性负载续流，高频场景需评估反向恢复损耗。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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