SL3139KDW低压MOS管

特性：无铅产品。表面贴装封装。具有低导通电阻 (RDS(on)) 的P沟道开关。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SL3139KDW

商品封装:SOT-363

包装方式:编带

商品毛重:0.033033克(g)

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产品详情产品文档

产品概述

SL3139KDW 是萨科微（Slkor）推出的双 P 沟道、低逻辑电平驱动、超低导通电阻小型化 MOSFET，采用 SOT‑363 贴片封装，具备无铅、无卤素、RoHS 合规特性。器件专为超小型便携电子、负载开关、逻辑接口切换、电池管理等低压小信号场景设计，可在低栅压下稳定工作，体积小巧、损耗低、开关速度快，是微型低压系统的理想开关器件。

产品优势

双 P 沟道集成设计：单颗芯片集成两路 P 沟道 MOS，节省 PCB 面积，适合高密度微型电路。
超低导通电阻：4.5V 驱动下最大仅 520mΩ，2.5V 驱动下最大 700mΩ，导通损耗极低。
低逻辑电平驱动：支持低栅压逻辑驱动，适配低压便携设备、电池供电系统。
开关速度快：栅电荷小、开关延迟短，适合高频小信号切换与负载管理。
微型贴片封装：SOT‑363 超小体积，适合便携式、穿戴式、微型化电子产品。
全环保合规：无铅、无卤素、RoHS compliant，满足消费电子安规要求。

产品参数

绝对最大额定值

漏源耐压 VDS：-20V
栅源电压 VGS：±10V
连续漏极电流 ID：-0.66A
脉冲电流 IDM：-2.65A
最大功耗 PD：0.15W
工作结温：-55℃ ~ 150℃

静态电气参数

栅阈值电压 VGS (th)：-0.35V ~ -1.1V（典型 -0.65V）
导通电阻 RDS (on)：
- VGS=-4.5V：最大 520mΩ
- VGS=-2.5V：最大 700mΩ
漏源击穿电压：-20V
输入电容 Ciss：典型 115pF

动态开关参数

总栅电荷 Qg：典型 1.25nC
导通延迟：9ns
关断延迟：30.8ns
上升时间：5.5ns
下降时间：20ns

应用领域

超小型便携电子负载开关 / 电源切换
逻辑电平切换、接口开关电路
微型电池管理、低功耗供电控制
小信号模拟开关、IoT 微型传感器前端
穿戴设备、TWS、小型消费电子内部电源管理

注意事项

本器件为双 P 沟道 MOS，驱动电压与电流方向需按规格书正确设计。
栅极极易受 ESD 损坏，焊接、测试、存储必须做好防静电措施。
工作时不可超过 VDS=-20V、VGS=±10V 等绝对额定值，避免永久性损坏。
微型封装散热能力有限，大电流长时间工作需注意温升与降额使用。
适合低压小信号场景，不可用于高压、大功率开关应用。

名称

标题

说明

SL3139KDW SOT-363.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！