产品概述
SL3139KDW 是萨科微(Slkor)推出的双 P 沟道、低逻辑电平驱动、超低导通电阻小型化 MOSFET,采用 SOT‑363 贴片封装,具备无铅、无卤素、RoHS 合规特性。器件专为超小型便携电子、负载开关、逻辑接口切换、电池管理等低压小信号场景设计,可在低栅压下稳定工作,体积小巧、损耗低、开关速度快,是微型低压系统的理想开关器件。
产品优势
- 双 P 沟道集成设计:单颗芯片集成两路 P 沟道 MOS,节省 PCB 面积,适合高密度微型电路。
- 超低导通电阻:4.5V 驱动下最大仅 520mΩ,2.5V 驱动下最大 700mΩ,导通损耗极低。
- 低逻辑电平驱动:支持低栅压逻辑驱动,适配低压便携设备、电池供电系统。
- 开关速度快:栅电荷小、开关延迟短,适合高频小信号切换与负载管理。
- 微型贴片封装:SOT‑363 超小体积,适合便携式、穿戴式、微型化电子产品。
- 全环保合规:无铅、无卤素、RoHS compliant,满足消费电子安规要求。
产品参数
绝对最大额定值
- 漏源耐压 VDS:-20V
- 栅源电压 VGS:±10V
- 连续漏极电流 ID:-0.66A
- 脉冲电流 IDM:-2.65A
- 最大功耗 PD:0.15W
- 工作结温:-55℃ ~ 150℃
静态电气参数
- 栅阈值电压 VGS (th):-0.35V ~ -1.1V(典型 -0.65V)
- 导通电阻 RDS (on):
- VGS=-4.5V:最大 520mΩ
- VGS=-2.5V:最大 700mΩ
- 漏源击穿电压:-20V
- 输入电容 Ciss:典型 115pF
动态开关参数
- 总栅电荷 Qg:典型 1.25nC
- 导通延迟:9ns
- 关断延迟:30.8ns
- 上升时间:5.5ns
- 下降时间:20ns
应用领域
- 超小型便携电子负载开关 / 电源切换
- 逻辑电平切换、接口开关电路
- 微型电池管理、低功耗供电控制
- 小信号模拟开关、IoT 微型传感器前端
- 穿戴设备、TWS、小型消费电子内部电源管理
注意事项
- 本器件为双 P 沟道 MOS,驱动电压与电流方向需按规格书正确设计。
- 栅极极易受 ESD 损坏,焊接、测试、存储必须做好防静电措施。
- 工作时不可超过 VDS=-20V、VGS=±10V 等绝对额定值,避免永久性损坏。
- 微型封装散热能力有限,大电流长时间工作需注意温升与降额使用。
- 适合低压小信号场景,不可用于高压、大功率开关应用。