一、产品概述

IR3139‑SL 是一款采用 SOP‑8 贴片封装的 P 沟道低压 MOS 管。器件专为低导通损耗、高可靠性以及多厂商兼容设计，经过 100% 雪崩测试，符合无铅、无卤素以及 RoHS 环保规范。主要面向开关电源、电机控制、负载开关以及电源管理等中低压大电流应用场景，是大电流 P 沟道系统的高性价比方案。

二、产品优势

极低导通损耗，大电流高效

-10V 驱动下导通电阻最大仅4.6mΩ，-4.5V 驱动也仅6.8mΩ，导通损耗低、发热小，适合 20A 大电流连续工作。
雪崩全测试，可靠性拉满

100% 通过雪崩能力验证，抗浪涌、抗冲击、抗感性负载能力强，在电机、电源、感性开关场景更稳定。
标准 SOP‑8 封装，直接兼容替换

采用行业标准 SOP‑8 引脚定义，可直接兼容同规格型号，无需改板，快速替换、降低选型风险。
开关速度快，适合高频应用

栅电荷仅30nC，导通延迟13ns，开关损耗低，适合高频开关电源（SMPS）与高频驱动场景。
全环保合规，工业级品质

无铅、无卤素、RoHS、Halogen‑Free，工业级温度 - 50℃~155℃，满足消费类、工控类、电源类产品要求。

三、产品参数

1）绝对最大额定值（Tc=25℃）

漏源耐压 VDS：-30V
栅源耐压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：-20A
脉冲漏极电流 IDM：-160A
最大功耗 PD：2.5W
结温 TJ：-50℃~155℃
封装形式：SOP‑8

2）静态电气参数

漏源击穿电压 BV (DSS)：-30V（VGS=0V，ID=-250μA）
栅阈值电压 VGS (th)：-1.3V ~ -2.4V（典型 - 1.8V）
导通电阻 RDS (ON)：

VGS=-10V，ID=-20A：3.9mΩ（典型），4.6mΩ（最大）

VGS=-4.5V，ID=-16A：5.8mΩ（典型），6.8mΩ（最大）
零栅漏电流 IDSS：≤-1μA（VDS=-30V，VGS=0V）

3）动态开关参数

输入电容 CISS：5500pF
输出电容 COSS：720pF
反向传输电容 CRSS：500pF
总栅电荷 Qg：30nC
导通延迟 td (on)：13ns
上升时间 tr：20ns
关断延迟 td (off)：90ns
下降时间 tf：65ns

4）体二极管参数

正向导通电压 VSD：≤1.2V（Is=-20A，Tj=25℃）

四、应用领域

开关模式电源（SMPS）：适配器、充电器、服务器电源、板载电源模块
电机控制：小型电机驱动、有刷电机驱动、玩具电机、风扇驱动
负载开关 / 电源切换：大电流负载开关、电池供电系统电源切换
电源管理：降压、升压、升降压电源开关、电池保护开关
工业与消费类：工控板、家电控制板、服务器、快充设备、电动工具

五、注意事项

本品为P 沟道 MOS 管，电压、电流均为负值，使用前务必确认电路极性。
栅极对静电敏感，焊接、测试、存储必须做 ESD 防静电措施，避免击穿损坏。
连续工作电流 **-20A** 需依靠大铜箔、散热焊盘、散热片强化散热，否则必须降额使用。
工作时不可超过 **VDS=-30V、VGS=±20V、ID=-20A、TJ=155℃** 等绝对最大额定值。
感性负载（电机、线圈、电源）必须加续流、吸收、缓冲电路，防止尖峰损坏器件。
焊接温度与时间需符合 SMT 规范，避免高温长时间加热导致封装损坏。

名称

标题

说明

IRF9310-SL SOP-8.pdf

数据手册

支持

服务热线

0755-83044319

手机

15626551216

功率器件

二极管三极管

传感器

获取产品资料

深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！