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产品展示
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一、产品概述
IRLML2402-SL 是萨科微（Slkor）推出的一款沟槽工艺低压 N 沟道 MOSFET，采用标准 SOT-23 小型贴片封装，专为小体积、低功耗、大电流的便携与消费类电子设计。器件具备低导通电阻、快速开关、高雪崩能力等特性，适用于负载开关、PWM 驱动、电池供电设备等低压大电流应用场景，是小型化电源管理与负载控制的优选器件。
二、产品优势
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小型贴片封装，节省布板空间采用 SOT-23 标准封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，满足便携设备小型化设计需求。
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超低导通电阻，导通损耗小在 4.5V 驱动电压下导通电阻最大值仅 250mΩ，2.7V 驱动电压下最大值仅 350mΩ，有效降低导通损耗与工作发热。
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快速开关特性，适合高频应用栅极电荷低，开关延迟短，可稳定工作在高频 PWM 驱动场景，提升系统效率。
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大电流承载能力，可靠性高连续工作电流可达 1.2A，脉冲电流可达 7.4A，满足低压大电流负载驱动需求。
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宽工作温度范围，环境适应性强工作结温覆盖 - 50℃至 150℃，可适应工业、消费类各类复杂工作环境。
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符合环保规范，满足生产要求无铅、符合 RoHS 环保规范，适配自动化贴片生产，满足各类设备安规要求。
三、产品参数
1. 绝对最大额定值
- 漏源击穿电压：20V
- 栅源驱动电压：±12V
- 连续漏极电流：1.2A
- 脉冲漏极电流：7.4A
- 最大功耗：0.54W
- 工作结温：-50℃~150℃
- 存储温度范围：-50℃~155℃
- 结到环境热阻：230℃/W
2. 静态电气特性
- 漏源击穿电压：20V（VGS=0V，ID=250μA）
- 零栅压漏极电流：≤1μA（VDS=20V，VGS=0V）
- 栅源漏电流：≤±100nA（VGS=±12V，VDS=0V）
- 栅极阈值电压：0.5V（VDS=VGS，ID=250μA）
- 漏源导通电阻：
- VGS=4.5V，ID=0.93A：≤250mΩ
- VGS=2.7V，ID=0.47A：≤350mΩ
3. 动态电气特性
- 输入电容：200pF
- 输出电容：35pF
- 反向传输电容：28pF
- 总栅极电荷：3nC（VDS=10V，ID=1.2A，VGS=4.5V）
- 开启延迟时间：3ns
- 开启上升时间：11ns
- 关断延迟时间：20ns
- 关断下降时间：8ns
4. 封装尺寸（SOT-23）
- 封装长度：2.80mm~3.00mm
- 封装宽度：1.20mm~1.40mm
- 封装高度：0.90mm~1.15mm
四、应用领域
- 便携式电子设备负载开关
- 电池供电设备电源管理
- 消费类电子低压大电流驱动
- 小型化电源模块负载控制
- PWM 脉冲宽度调制应用
- 锂电保护板低压开关
- 小型电机驱动与控制
- 各类低压大电流开关电路
五、注意事项
- 器件栅极对静电敏感，存储、运输与焊接过程需做好防静电措施，避免静电损坏。
- 驱动电压需控制在 ±12V 范围内，不可超过额定栅源电压，防止栅极击穿。
- 连续工作电流不可超过 1.2A，长时间大电流工作需做好散热设计，避免过热损坏。
- 焊接温度与时间需符合 SOT-23 封装规范，防止高温导致封装开裂与器件失效。
- 应用电路需做好过流、过压、过热防护设计，提升系统工作稳定性与可靠性。
- 器件为低压专用 MOS 管，不可用于超过 20V 的高压应用场景，防止击穿损坏。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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