SL3134KL低压MOS管

N沟道耐压:20V 电流:0.75A

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SL3134KL

商品封装:DFN1006-3L

包装方式:编带

商品毛重:0.0097克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SL3134KL 是萨科微（Slkor）采用先进沟槽工艺制造的N 沟道增强型低压 MOSFET，采用超小型 DFN1006-3L 封装。器件具备低阈值电压、快速开关、低导通损耗、高 ESD 防护等特性，专为便携式设备、低功耗系统、小信号负载开关设计，可在极低驱动电压下实现大电流导通，是小型化电源管理与负载控制的理想开关器件。

二、产品优势

先进沟槽工艺，性能更优

采用新一代沟槽工艺技术，导通电阻更低、栅电荷更小，开关速度更快，系统损耗更低。
低阈值电压，低压直驱

栅极阈值电压典型值仅0.7V，最低可低至0.35V，支持 2.5V/3.3V/4.5V 低压直接驱动，无需升压电路。
快速开关，适合高频

开关延迟短、上升 / 下降速度快，适合高频 PWM、高速信号切换与高频负载开关应用。
高 ESD 防护，使用更安全

内置 ESD 防护结构，可承受HBM 2kV静电冲击，显著提升装配与使用过程中的抗静电能力。
超小 DFN 封装，节省空间

DFN1006-3L 微型封装，面积仅 1.0mm×0.6mm，适合高密度、超薄型便携设备 PCB 布局。
环保无卤，符合生产规范

无卤素、无铅工艺，符合 RoHS 环保要求，适配自动化贴片与无铅回流焊接。

三、产品参数

1. 绝对最大额定值

漏源电压 VDS：20V
栅源电压 VGS：±12V
连续漏极电流 ID：0.75A
脉冲漏极电流 IDM：1.8A
总功耗 PD：0.7W
工作结温 TJ：-55℃ ~ 150℃
存储温度 TSTG：-55℃ ~ 150℃
结到环境热阻 RθJA：175℃/W

2. 静态电气特性

漏源击穿电压 BV DSS：20V（ID=250μA，VGS=0V）
零栅漏电流 IDSS：≤1.0μA（VDS=20V，VGS=0V）
栅极漏电流 IGSS：≤±10μA（VGS=±10V）
栅源阈值电压 VGS (th)：0.35V ~ 1.1V（典型 0.7V）
漏源导通电阻 R DS (on)：
- VGS=4.5V，ID=0.65A：最大 500mΩ（典型 250mΩ）
- VGS=2.5V，ID=0.45A：最大 700mΩ（典型 300mΩ）

3. 动态电气特性

输入电容 C ISS：79pF
输出电容 C OSS：13pF
反向传输电容 C RSS：9pF
总栅极电荷 Q g：1.24nC
开启延迟 t d (on)：6.7ns
上升时间 t r：4.8ns
关断延迟 t d (off)：17.3ns
下降时间 t f：7.4ns

4. 封装信息

封装类型：DFN1006-3L
尺寸规格：1.0mm×0.6mm×0.5mm
引脚定义：G（栅）、D（漏）、S（源）

四、应用领域

便携式电子产品负载开关
电池供电设备低压大电流开关
低功耗 MCU I/O 口直驱负载开关
小信号电压控制型开关电路
可穿戴设备、TWS 耳机电源管理
超薄型模块、小型传感器电源控制
高频 PWM 脉冲驱动与信号切换
各类低压、低功耗、小体积开关应用

五、注意事项

器件栅极对静电敏感，存储、运输、焊接全过程必须采取防静电措施，防止 ESD 损坏。
栅源驱动电压必须控制在 **±12V** 以内，严禁超压使用，避免栅氧化层击穿。
连续工作电流不得超过0.75A，长时间大电流应用需加强 PCB 散热设计。
回流焊接温度最高不可超过260℃，焊接时间与温度曲线需严格遵照规格书要求。
器件为低压专用 MOSFET，不可用于 VDS＞20V 的高压系统，避免击穿失效。
布局时尽量缩短栅极走线，减少干扰与寄生振荡，保证开关稳定与噪声抑制。
应用电路需根据需求增加过流、过压、过热、反接等保护措施，提升系统可靠性。

名称

标题

说明

DFN1006-3L DFN1006-3L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！