SL3139KL低压MOS管

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。 ESD保护栅极，HBM 2.5KV。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SL3139KL

商品封装:DFN1006-3L

包装方式:编带

商品毛重:0.00968克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SL3139KL 是萨科微（Slkor）采用先进沟槽工艺打造的P 沟道增强型低压 MOSFET，采用超小型 DFN1006-3L 封装。器件专为便携式设备负载开关、低压信号控制、小电流功率切换设计，具备低阈值电压、快速开关、低导通损耗、高 ESD 防护能力，是小型化、低功耗、低压控制系统的理想负载开关器件。

二、产品优势

先进沟槽工艺，性能稳定

采用新一代沟槽工艺技术，导通电阻更低、栅电荷更小，开关速度更快，系统损耗更低。
低阈值电压，低压直驱

栅极阈值电压典型值仅 **-0.7V**，支持 2.5V/3.3V/4.5V 低压直接驱动，无需升压电路，简化驱动设计。
快速开关速度，适合高频

开关延迟短、上升 / 下降速度快，适合高频 PWM、高速信号切换与高频负载开关应用。
高 ESD 防护，使用更安全

内置栅极 ESD 防护结构，可承受HBM 2.5KV静电冲击，显著提升装配与使用过程中的抗静电能力。
超小 DFN 封装，节省空间

DFN1006-3L 微型封装，面积仅 1.0mm×0.6mm，适合高密度、超薄型便携设备 PCB 布局。
环保无卤，符合生产规范

无卤素、无铅工艺，符合 RoHS 环保要求，适配自动化贴片与无铅回流焊接。

三、产品参数

1. 绝对最大额定值

漏源电压 VDS：-20V
栅源电压 VGS：±12V
连续漏极电流 ID：-0.98A
脉冲漏极电流 IDM：-1.2A
总功耗 PD：0.71W
工作结温 TJ：-55℃ ~ 150℃
存储温度 TSTG：-55℃ ~ 150℃
结到环境热阻 RθJA：175℃/W

2. 静态电气特性

漏源击穿电压 BV (DSS)：-20V
零栅漏电流 IDSS：≤-1.0μA
栅极漏电流 IGSS：≤±10μA
栅源阈值电压 VGS (th)：-0.35V ~ -1.1V（典型 - 0.7V）
漏源导通电阻 RDS (on)：
- VGS=-4.5V，ID=-0.5A：典型 370mΩ，最大 530mΩ
- VGS=-2.5V，ID=-0.3A：典型 500mΩ，最大 775mΩ

3. 动态电气特性

正向跨导 gfs：1.2S
输入电容 CISS：113pF
输出电容 COSS：15pF
反向传输电容 CRSS：9pF
总栅极电荷 Qg：1.24nC
开启延迟时间 td (on)：9ns
关断延迟时间 td (off)：5.7ns

4. 封装信息

封装类型：DFN1006-3L
尺寸规格：1.0mm×0.6mm×0.5mm

四、应用领域

便携式电子产品负载开关
电池供电设备低压小电流开关
低功耗 MCU I/O 口直驱负载开关
电压控制型小信号开关电路
可穿戴设备、TWS 耳机电源管理
超薄型模块、小型传感器开关控制
高频 PWM 脉冲驱动与信号切换
各类低压、低功耗、小体积开关应用

五、注意事项

器件栅极对静电敏感，存储、运输、焊接全过程必须采取防静电措施，防止 ESD 损坏。
栅源驱动电压必须控制在 **±12V** 以内，严禁超压使用，避免栅氧化层击穿。
连续工作电流不得超过 **-0.98A**，长时间大电流应用需加强 PCB 散热设计。
回流焊接温度最高不可超过 **+260℃**，焊接时间与温度曲线需严格遵照规格书要求。
器件为低压专用 MOSFET，不可用于 VDS＞-20V 的高压系统，避免击穿失效。
布局时尽量缩短栅极走线，减少干扰与寄生振荡，保证开关稳定与噪声抑制。
应用电路需根据需求增加过流、过压、过热、反接等保护措施，提升系统可靠性。

名称

标题

说明

SL3139KL DFN1006-3L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！