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产品展示
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产品概述
FDN339AN-SL 是萨科微推出的 20V/3A N 沟道增强型低压 MOS 管，采用先进沟槽低压功率 MOSFET 工艺与标准 SOT-23 贴片封装。产品具备低导通电阻、大电流承载能力与快速开关特性，符合 RoHS、无铅、无卤素环保规范，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等低压中功率场景，是便携式设备与小型化电源系统的理想开关器件。
产品优势
- 沟槽工艺，低损耗高效
采用先进沟槽工艺，导通电阻极低，4.5V 驱动下最大仅 35mΩ，2.5V 驱动下最大 50mΩ，导通损耗小、发热低。
- 大电流输出，过载能力强
连续漏极电流 3A，脉冲电流可达 20A，满足中功率负载驱动与电源切换需求，瞬时带载能力突出。
- 开关速度快，适配高频
栅电荷小、开关延迟短，适合高频 PWM 应用，提升系统转换效率。
- 标准封装，兼容性强
SOT-23 通用贴片封装，体积小巧，布板灵活，可直接替代同型号器件，无需改板。
- 宽温稳定，可靠性高
工作温度范围 - 50℃~155℃，漏电流小、参数一致性好，满足工业与消费电子长期稳定运行。
- 绿色环保，量产友好
无铅、无卤素、RoHS 合规，适配自动化 SMT 贴片生产。
产品参数
1. 绝对最大额定值
- 漏源击穿电压 VDS：20V
- 栅源电压 VGS：±10V
- 连续漏极电流 ID：3A
- 脉冲漏极电流 IDM：20A
- 最大功耗 PD：0.5W
- 结 - 环境热阻 RθJA：250℃/W
- 工作结温 TJ：150℃
- 存储温度 TSTG：-50℃~155℃
2. 静态电气特性
- 栅极阈值电压 VGS (th)：0.4V~1.5V（典型 0.85V）
- 导通电阻 RDS (on)：
VGS=4.5V、ID=3A：典型 29mΩ，最大 35mΩVGS=2.5V、ID=2.4A：典型 39mΩ，最大 50mΩ
- 零栅压漏电流 IDSS：≤1μA
- 栅漏电流 IGSS：±100nA
3. 动态与开关特性
- 输入电容 CISS：595pF
- 输出电容 COSS：105pF
- 反向传输电容 CRSS：60pF
- 总栅极电荷 Qg：6.5nC
- 开启延迟 td (on)：12ns
- 上升时间 tr：54ns
- 关断延迟 td (off)：18ns
- 下降时间 tf：11ns
4. 封装参数
- 封装形式：SOT-23
- 尺寸：2.8mm~3.0mm × 1.2mm~1.4mm × 0.9mm~1.15mm
应用领域
- PWM 脉冲宽度调制应用（电机驱动、LED 调光）
- 便携式设备负载开关与电源切换
- 电池供电设备电源管理
- 小型 DC/DC 电源转换器
- 消费电子、小家电、玩具驱动电路
- 工业低压控制与传感器供电开关
注意事项
- 栅极极易受静电损坏，装配、焊接、测试必须做好防静电措施。
- 工作电压不可超过 VDS=20V、VGS=±10V，连续电流不超过 3A。
- SOT-23 封装散热能力有限，大电流长时间工作需加强 PCB 敷铜散热。
- 焊接温度与时间需符合 SMT 工艺规范，避免高温损坏器件。
- 驱动电压建议匹配阈值电压范围，栅极可串联小电阻抑制振荡。
- 请勿用于高压、大功率场景，避免器件击穿失效。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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