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产品展示
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产品概述
SL4459A 是萨科微推出的 - 30V/-6.5A P 沟道增强型低压 MOS 管，采用沟槽低压功率 MOSFET 工艺与高密度单元结构设计，使用标准 SOP-8 贴片封装。产品具备低导通电阻、高速开关、散热优良等特点，符合 RoHS、无铅、无卤素环保规范，主要用于电池保护、电源管理和负载开关等低压中功率应用场景，是电池系统与便携设备电源控制的理想开关器件。
产品优势
- 低导通电阻，损耗更低
采用高密度沟槽工艺，导通电阻小，-10V 驱动下最大仅 46mΩ，-4.5V 驱动下最大 72mΩ，发热少、效率高。
- 高速开关特性
栅电荷低、开关时间短，适合高频电源管理与快速负载切换。
- 大电流与高脉冲能力
连续电流 - 6.5A，脉冲电流可达 - 30A，满足电池回路与中功率负载驱动需求。
- SOP-8 标准封装
通用性强、布局方便、散热良好，可直接兼容通用设计，易于量产。
- 宽温稳定可靠
工作温度范围 - 50℃~155℃，漏电流低、参数一致性好，适合工业与消费类设备长期工作。
- 绿色环保合规
无铅、无卤素、RoHS 认证，满足各类电子产品环保要求。
产品参数
1. 绝对最大额定值
- 漏源击穿电压 VDS：-30V
- 栅源电压 VGS：±20V
- 连续漏极电流 ID：-6.5A
- 脉冲漏极电流 IDM：-30A
- 最大功耗 PD：3.1W
- 结 - 环境热阻 RθJA：40℃/W
- 工作结温 TJ：150℃
- 存储温度 TSTG：-50℃~155℃
2. 静态电气特性
- 栅极阈值电压 VGS (th)：-1V ~ -3V（典型 - 1.8V）
- 漏源导通电阻 RDS (on)：
VGS=-10V、ID=-6.5A：典型 33mΩ，最大 46mΩVGS=-4.5V、ID=-5A：典型 50mΩ，最大 72mΩ
- 零栅压漏电流 IDSS：≤-1μA
- 栅极漏电流 IGSS：±100nA
3. 动态与开关特性
- 输入电容 CISS：520pF
- 输出电容 COSS：100pF
- 反向传输电容 CRSS：65pF
- 总栅极电荷 Qg：9.2nC
- 开启延迟 td (on)：7.5ns
- 上升时间 tr：5.5ns
- 关断延迟 td (off)：19ns
- 下降时间 tf：7ns
4. 封装参数
- 封装形式：SOP-8
- 尺寸：长 4.7~5.1mm，宽 5.8~6.2mm，高 1.45~1.75mm
应用领域
- 电池保护电路（锂电池、多串电池组）
- 电源管理系统、DC/DC 转换器
- 负载开关、电源通路切换
- 便携式设备、移动电源、电动工具
- 小家电、消费类电子控制板
- 工业低压控制与仪表供电开关
注意事项
- 本品为 P 沟道 MOS 管，电压、电流均为负值，设计时需注意极性。
- 栅极易受 ESD 损坏，生产、测试、焊接必须做好防静电措施。
- 工作时不可超过 VDS=-30V、VGS=±20V、ID=-6.5A 额定值。
- SOP-8 封装需保证足够敷铜散热，大电流长时间工作需加强散热设计。
- 焊接温度与时间遵循 SOP-8 标准 SMT 工艺，避免高温损伤。
- 电池应用需配合过流、过压、反接保护电路，提升系统安全性。
- 避免在高压、高频大功率场合超规格使用，防止器件损坏。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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