SL4616A低压MOS管

特性：采用沟槽功率低压MOSFET技术。高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(ON)）。高速开关。应用：电池保护。电源管理

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SL4616A

商品封装:SOP-8

包装方式:编带

商品毛重:0.1702克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SL4616A 是萨科微（Slkor）基于沟槽工艺（Trench Power LV MOSFET）设计的30V N+P 双通道互补式功率 MOSFET，采用标准 SOP‑8 封装，单片集成 N 沟道与 P 沟道两颗 MOS 管。产品具备极低导通电阻、高速开关、宽工作电压等特性，专为电池保护、电源管理、负载开关等低压大电流应用设计，是便携式设备、电池管理系统、负载开关的理想功率器件。

二、产品优势

单芯片集成 N+P 双通道，简化电路

一颗器件同时提供 N 沟道与 P 沟道 MOS 管，减少元件数量、缩小 PCB 面积、降低系统成本。
极低导通电阻，损耗更小

N 沟道：10V 驱动下导通电阻低至 20mΩ

P 沟道：‑10V 驱动下导通电阻低至 22mΩ

大电流工作发热少、转换效率高。
高速开关特性，适合高频应用

栅电荷低、开关延迟短，适合高频电源管理、快速负载切换。
宽驱动电压，兼容 3.3V/5V/10V 系统

支持 4.5V 标准驱动与 10V 满驱动，适配各类 MCU、锂电供电系统。
大电流承载能力

N 沟道连续电流 8A，P 沟道连续电流 ‑7A，满足多数低压大电流场景。
全环保合规，适合工业量产

无铅、无卤素、RoHS 合规，满足消费电子与工业设备要求。

三、核心产品参数

1. 绝对最大额定值

漏源击穿电压：±30V
栅源电压：±20V
工作结温：‑55℃ ~ +150℃
连续漏极电流：N 沟 8A / P 沟 ‑7A
脉冲漏极电流：±40A
最大功耗：2W
热阻：62.5℃/W

2. 电气特性

N 沟道

导通电阻：20mΩ@10V / 28mΩ@4.5V
阈值电压：1.2V ~ 2.4V
总栅电荷：15nC

P 沟道

导通电阻：22mΩ@‑10V / 40mΩ@‑4.5V
阈值电压：‑1.4V ~ ‑2.5V
总栅电荷：19nC

封装：SOP‑8

四、应用领域

电池保护板（二合一 / 三合一 / 多串锂电保护）
电源管理模块、负载开关
锂电池充放电管理、路径切换
便携式设备电源控制
DC‑DC 电源转换器、降压 / 升压模块
各类低压大电流功率开关应用
消费类电子、工业控制、传感器供电开关

五、注意事项

栅极对静电敏感，生产、测试、焊接必须采取防静电措施。
N 沟与 P 沟驱动电压不可超过 ±20V，防止栅极击穿。
连续工作电流不可超过额定值（N 8A / P ‑7A），长时间大电流需加强散热。
SOP‑8 封装需保证足够敷铜面积，提升散热与可靠性。
驱动回路建议串联 10~100Ω 电阻，抑制高频振荡与干扰。
不可用于 VDS > 30V 的高压场合，避免击穿损坏。
焊接温度遵循 SMT 标准，峰值温度不超过 260℃，时间小于 10 秒。
设计系统时建议增加过流、过压、过热、反接保护电路。

名称

标题

说明

SL4616A SOP-8.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！