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SL2192低压MOS管
SL2192 是 SOP-8 贴片封装单 N 沟道增强型低压 MOSFET，采用高密度沟槽 Trench 芯片工艺，额定漏源耐压 20V，常温连续漏极电流 12A，4.5V 标准逻辑电平驱动即可实现极低导通电阻（＜10mΩ），同时具备低栅电荷、高速开关特性。器件内置源漏续流体二极管，为无铅绿色器件，适合各类 5V/12V 低压大电流开关、DC-DC、锂电保护、负载驱动电路，引脚定义：1/3 脚源极 S、4 脚栅极 G、5~8 脚漏极 D。
品牌名称：Slkor(萨科微)
商品型号：SL2192
商品封装：SOP-8
包装方式：编带
商品毛重：0.206克(g)
一、产品概述
SL2192 是 SOP-8 贴片封装单 N 沟道增强型低压 MOSFET，采用高密度沟槽 Trench 芯片工艺，额定漏源耐压 20V，常温连续漏极电流 12A，4.5V 标准逻辑电平驱动即可实现极低导通电阻（＜10mΩ），同时具备低栅电荷、高速开关特性。器件内置源漏续流体二极管，为无铅绿色器件，适合各类 5V/12V 低压大电流开关、DC-DC、锂电保护、负载驱动电路，引脚定义：1/3 脚源极 S、4 脚栅极 G、5~8 脚漏极 D。
二、产品特性
- 基础规格：单 N 沟道 MOSFET，SOP-8 贴片封装
- 耐压参数：VDS 额定 20V，栅源耐压 ±12V
- 电流指标：Tc=25℃连续 ID=12A；Tc=100℃降额至 7.5A
- 导通电阻：VGS=4.5V、ID=5A 条件下，典型 8.5mΩ，最大值＜10mΩ
- 栅极特性：低总栅电荷 Qg，开关速度快；阈值电压典型 0.6V
- 电容参数：输入电容 Ciss 最大 1450pF，输出电容 Coss 典型 230pF
- 内置二极管：源漏体二极管，IS=1A 时正向压降最大 1V
- 温度区间：工作 / 存储结温 - 55℃~+150℃
- 工艺环保：高密度沟槽工艺，无铅绿色器件，兼容 SMT 自动化贴片
- 散热设计：多引脚并联漏极，封装散热性能优异
三、产品优势
- 超低导通损耗：毫欧级 RDS (on)，大电流工作发热少，电源转换效率大幅提升。
- 低压逻辑直驱：4.5V 即可充分导通，无需额外栅极升压电路，MCU 可直接驱动。
- 低栅电荷高速开关：Qg 参数优秀，高频 PWM 场景开关损耗低，适配高频 DC-DC 电源。
- 大电流承载能力：常温 12A 连续输出，满足锂电、电机、大功率 LED 负载需求。
- 集成续流二极管，省去外部肖特基二极管，简化 BOM、降低物料成本。
- 宽温稳定可靠：-55~150℃全温域稳定，适配工业、车载、户外低温设备。
- 贴片标准化封装：SOP-8 通用性强，自动贴装良率高，量产成本低。
- 低漏电流：高温下 IDSS 仅 10μA，静态损耗小，适合电池供电设备。
四、应用领域
- 低压 DC-DC 升降压开关电源、笔记本电源模块
- 锂电池充放电保护板、充电宝功率回路
- 大功率 LED 灯条、背光驱动开关
- 小型直流风扇、微型电机驱动电路
- 车载 12V 低压控制、多路负载切换开关
- 工控板、智能穿戴设备电源管理
- 5V/12V 继电器、电磁阀小功率驱动
五、注意事项
- 电压限制：长期工作 VDS 不可超过 20V，栅源电压控制在 ±12V 内，防止栅极氧化层击穿。
- 电流降额：外壳温度达到 100℃时，连续电流只能使用 7.5A，高温工况加大 PCB 铜箔散热。
- 静电防护：MOS 栅极输入阻抗极高，仓储、焊接、装配必须做好防静电措施，避免静电损坏。
- 电感负载处理：驱动电机、线圈等感性负载时，依靠内置体二极管吸收反向电动势，必要时并联快恢复管。
- 高频栅极设计：高频开关电路建议串联 10~100Ω 栅电阻，抑制振荡、降低 EMI 干扰。
- 脉冲规范：脉冲电流测试宽度≤300μs、占空比≤2%，禁止长时间大脉冲过载。
- PCB 布线：漏极引脚大面积铺铜散热，栅极走线短而细，减少耦合干扰。
- 焊接标准：回流焊峰值温度不超过 260℃，高温停留时间严格控制，避免塑封分层失效。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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