产品展示
产品展示
SL002P02K低压MOS管

SL002P02K 是一款 SOT-723 超小型封装 P 沟道信号 MOS 管,额定漏源耐压 - 20V,连续电流 ±200mA,脉冲峰值电流可达 ±800mA,额定耗散功率 150mW。支持低至 1.2V 栅压驱动,开关速度快、体积微小,内置 ESD 保护与源漏体二极管,专为便携数码、小型设备信号 / 电源开关设计,引脚定义:1 栅极 G、2 源极 S、3 漏极 D。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SL002P02K

商品封装:SOT-723​

包装方式:编带

商品毛重:0.011克(g)

一、产品概述

SL002P02K 是一款 SOT-723 超小型封装 P 沟道信号 MOS 管,额定漏源耐压 - 20V,连续电流 ±200mA,脉冲峰值电流可达 ±800mA,额定耗散功率 150mW。支持低至 1.2V 栅压驱动,开关速度快、体积微小,内置 ESD 保护与源漏体二极管,专为便携数码、小型设备信号 / 电源开关设计,引脚定义:1 栅极 G、2 源极 S、3 漏极 D。

二、产品特性

  1. 器件类型:P 沟道增强型小信号 MOSFET,封装 SOT-723 超微型贴片
  2. 耐压参数:VDSS=-20V;栅源耐压 VGSS=±10V
  3. 电流规格:连续 ID=±200mA;脉冲 IDP=±800mA(脉宽≤10μs,占空比≤1%)
  4. 额定功耗:PD=150mW(Ta=25℃),热阻 RthJA 最大 833℃/W
  5. 导通电阻 RDS (on)
    • VGS=-4.5V,ID=-200mA:典型 0.8Ω,最大 1.2Ω
    • VGS=-1.2V,ID=-10mA:典型 2.4Ω,最大 9.6Ω
  6. 栅阈值 VGS (th):-0.3V ~ -1.0V(VDS=-10V,ID=-100μA)
  7. 开关速度:开通延迟 6ns、上升 4ns;关断延迟 17ns、下降 17ns
  8. 栅电荷:总 Qg 典型 1.4nC,输入电容 Ciss 典型 115pF
  9. 内置防护:集成 ESD 保护电路、源漏体二极管
  10. 温度范围:结温 - 55℃ ~ +150℃

三、产品优势

  1. 超低电压驱动:最低 1.2V 即可导通,适配单节锂电 3.7V、1.8V/1.5V 低压主控 IO 直驱。
  2. 超微型封装:SOT-723 体积极小,适合穿戴、耳机、小型传感器等紧凑 PCB 布局。
  3. 高速开关特性:纳秒级开关延时,适合高频信号切换、高速逻辑控制。
  4. 导通电阻低:4.5V 驱动下最大仅 1.2Ω,小电流导通损耗极低。
  5. 内置双重保护:自带 ESD 防护 + 体二极管,简化外围防护器件。
  6. 宽温稳定:-55~150℃工作区间,户外、车载小型配件均可使用。
  7. 低栅极电荷:驱动功耗小,MCU 引脚负载低,不占用 IO 驱动能力。
  8. 脉冲电流能力强:短时脉冲 800mA,可应对上电冲击电流。

四、应用领域

  • TWS 蓝牙耳机、智能手表等穿戴设备电源开关
  • 便携小型传感器、测温模组信号切换
  • 充电宝、小型锂电保护辅助开关
  • 笔记本、平板内部小负载电源门控
  • 家电控制板微型信号切换回路
  • 数码相机、小型数码配件负载开关
  • 1.8V/3.3V 低压逻辑电平切换电路

五、注意事项

  1. 极性区分:P 沟道管,VDS、VGS 电压极性与 N 沟道相反,切勿接反造成击穿。
  2. 电流限制:连续工作不超过 200mA;脉冲工况严格控制脉宽≤10μs、占空比≤1%。
  3. 散热降额:SOT-723 散热能力弱,环境温度升高时需降低工作电流,避免超 150℃结温。
  4. 栅极静电防护:MOS 栅阻抗极高,生产、焊接、仓储全程防静电,防止静电击穿栅极。
  5. 电压红线:漏源电压不可超过 - 20V,栅源电压控制在 ±10V 以内。
  6. 感性负载处理:驱动线圈、小型马达时,利用内置体二极管吸收反向电压尖峰。
  7. 驱动匹配:低栅压(1.2V)工况下 RDS (on) 会明显变大,大负载尽量选用≥2.5V 栅压驱动。
  8. PCB 布线:封装尺寸微小,引脚走线不宜过细过长,减少压降与干扰耦合。


名称
标题
说明
SL002P02K SOT-723.pdf
-
数据手册
支持

服务热线

0755-83044319

功率器件

二极管三极管

传感器

获取产品资料