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SL4614低压MOS管
SL4614 是 SOP-8 贴片封装集成单 N 沟道 + 单 P 沟道增强型功率 MOS 组合管，同颗芯片内置 40V N 沟道与 - 40V P 沟道 MOS，采用沟槽工艺，具备低导通电阻、低栅电荷、内置体二极管特性，全部器件经过 UIS 雪崩冲击测试，可靠性高。一颗芯片同时提供正负功率开关，可直接搭建 H 桥电机驱动、同步整流、双向电源切换电路，大幅简化外围物料，适配 12/24V 低压功率电路。 引脚定义（SOP-8 俯视）：1S1、2G1、3S2、4G2、5/6D2、7/8D1；1/2/7/8 为 N 沟道，3/4/5/6 为 P 沟道。
品牌名称：Slkor(萨科微)
商品型号：SL4614
商品封装：SOP-8
包装方式：编带
商品毛重：0.191336克(g)
一、产品概述
SL4614 是 SOP-8 贴片封装集成单 N 沟道 + 单 P 沟道增强型功率 MOS 组合管，同颗芯片内置 40V N 沟道与 - 40V P 沟道 MOS，采用沟槽工艺，具备低导通电阻、低栅电荷、内置体二极管特性，全部器件经过 UIS 雪崩冲击测试，可靠性高。一颗芯片同时提供正负功率开关，可直接搭建 H 桥电机驱动、同步整流、双向电源切换电路，大幅简化外围物料，适配 12/24V 低压功率电路。 引脚定义（SOP-8 俯视）：1S1、2G1、3S2、4G2、5/6D2、7/8D1；1/2/7/8 为 N 沟道，3/4/5/6 为 P 沟道。
二、产品特性
1. 耐压与电流参数（Ta=25℃）
- N 沟道：VDSS=40V，连续 ID=7.5A；70℃降额 6A，脉冲峰值 30A
- P 沟道：VDSS=-40V，连续 ID=-5.5A；70℃降额 - 4.5A，脉冲峰值 - 22A
- 栅源通用耐压：±20V
2. 导通电阻 RDS (on)
- N 沟道：VGS=10V 最大 21mΩ；VGS=4.5V 最大 25mΩ
- P 沟道：VGS=-10V 最大 38mΩ；VGS=-4.5V 最大 62mΩ
3. 功耗与热性能
单管 25℃最大耗散功率 PD=2W，稳态热阻 RθJA=110℃/W
4. 阈值电压
N 沟 VGS (th)：1.5~2.5V；P 沟 VGS (th)：-1.5~-2.5V
5. 开关与栅极特性
低栅总电荷，纳秒级开关延时，反向恢复电荷小，高频 PWM 损耗低
6. 可靠性
100% UIS 雪崩能量测试，单脉冲雪崩能量 25mJ；内置源漏体二极管
7. 环境规格
工作 / 存储结温：-55℃ ~ +150℃，无铅 RoHS 环保 SOP-8 封装
三、产品优势
- 单芯片集成 N+P 双管，一颗替代两颗独立 MOS，缩减 PCB 占位、降低 BOM 成本。
- 低压驱动友好，4.5V 逻辑电平即可充分导通，MCU 直接驱动无需升压电路。
- 超低导通损耗，毫欧级 RDS (on)，大电流工作发热小，电源转换效率高。
- 高雪崩耐受，出厂全 UIS 冲击检测，感性负载、上电冲击场景不易损坏。
- 高速开关栅电荷低，开关速度快，适合高频同步降压、同步整流电路。
- 内置体二极管，无需额外续流肖特基，简化电机、电感外围电路。
- 宽温稳定-55~150℃全温域稳定，适配工业、车载、锂电设备。
- 标准 SOP8 封装，兼容自动化 SMT 贴装，量产通用性强。
四、应用领域
- 直流电机、风扇 H 桥驱动电路
- DC-DC 同步降压、同步整流电源模块
- 锂电池充放电双向功率开关
- 12/24V 车载低压控制回路
- 大功率 LED 恒流驱动、背光电源
- 便携设备、工控板多路电源切换
- 逆变小功率变换、负载开关电路
五、注意事项
- 极性区分：N/P 沟道电压极性相反，P 沟道 VGS、VDS 均为负压，严禁接反击穿栅极。
- 电流降额：环境 70℃时 N 沟道最大仅 6A、P 沟道仅 - 4.5A，高温加大 PCB 铺铜散热。
- 栅极防护MOS 栅阻抗极高，生产焊接全程防静电，栅压不可超过 ±20V。
- 感性负载电机、线圈必须依靠体二极管吸收反向电动势，必要增加 RC 吸收回路。
- 脉冲限制脉冲电流脉宽≤300μs、占空比≤2%，禁止长时间大脉冲过载。
- 雪崩使用不可持续重复雪崩冲击，仅允许单次脉冲工况。
- PCB 布线D1/D2 漏极引脚大面积铺铜散热，栅极走线短细减少 EMI 振荡。
- 驱动电阻高频开关建议串联 10~100Ω 栅电阻，抑制振铃、降低电磁干扰。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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