一、产品概述

SL2347 是 SOT-23 贴片封装沟槽型 P 沟道功率 MOS 管，丝印 S47，额定漏源耐压 - 30V、连续电流 - 5A，采用高密度沟槽芯片工艺，具备低导通电阻、低栅电荷、高速开关特性，内置源漏体二极管。适配 12/24V 锂电池保护、主板负载开关、低压电源管理等高侧开关场景，3 脚标准 SOT-23 封装，兼容全自动 SMT 贴片生产。引脚定义（俯视）：1-D 漏极，2-G 栅极，3-S 源极。

二、产品特性

1. 器件规格：增强型 P 沟道 MOSFET，SOT-23 小型贴片封装
2. 耐压参数：VDSS=-30V；栅源耐压 VGS=±20V
3. 电流能力（Ta=25℃）
   • 连续漏极电流 ID：-5A
   • 脉冲峰值电流 IDM：-21A
   • 体二极管连续正向电流 IS：-5A
4. 导通电阻 RDS (on)
   • VGS=-10V、ID=-3A：典型 35mΩ，最大 45mΩ
   • VGS=-4.5V、ID=-2A：典型 48mΩ，最大 70mΩ
5. 栅阈值电压 VGS (th)：-1V ~ -2.5V（典型 - 1.5V）
6. 栅极电荷：VDS=-15V、ID=-3A 时总 Qg 典型 7.5nC，驱动功耗低
7. 开关速度：纳秒级开关延时，开通延迟 3.3ns、关断延迟 18ns
8. 额定功耗：Ta=25℃单管 PD=1.25W，热阻 RθJA 最大 113℃/W
9. 温度区间：结温 - 50℃ ~ +150℃，存储温度同范围
10. 内置体二极管，可吸收电感反向电压尖峰

三、产品优势

1. 低导通损耗：高密度沟槽工艺，4.5V 低压驱动下导通电阻控制在 70mΩ 以内，大电流发热少，电源效率更高。
2. 低压逻辑直驱：4.5V 主控 IO 可直接驱动，无需额外负压升压电路，简化外围电路。
3. 高速低栅电荷：总栅电荷仅 7.5nC，高频 PWM 开关损耗小，适合快充、高频负载切换。
4. 大电流小型封装：SOT-23 小体积可承载 5A 持续电流，节省 PCB 布线空间，适合小型便携设备。
5. 脉冲耐受强：短时脉冲电流可达 - 21A，可承受上电、插拔瞬时冲击电流。
6. 宽温稳定：-50~150℃全温域可靠，车载、户外、工业低温设备均可使用。
7. 集成续流二极管，省去外部肖特基，降低 BOM 物料数量与成本。
8. 标准通用封装：SOT-23 行业通用，贴片良率高，批量采购成本低。

四、应用领域

1. 锂电池充放电保护板、充电宝功率高侧开关
2. 笔记本、平板、穿戴设备负载电源开关
3. 12V 小型直流风扇、微型电机控制回路
4. DC-DC 升压 / 降压高侧功率开关
5. 车载低压控制模块、LED 背光驱动
6. 工业小型传感器电源管理电路
7. 小家电、智能门锁电源切换回路

五、注意事项

1. 电压极性区分：P 沟道 MOS，VDS、VGS 均为负压，接线极性不可接反，避免栅极击穿。
2. 电流与散热降额：环境温度升高需降低工作电流；PCB 加大漏极铺铜改善散热，防止结温超过 150℃。
3. 栅极防静电：MOS 栅极输入阻抗极高，仓储、焊接、装配全程做好静电防护，杜绝静电损坏栅氧化层。
4. 电压限值：长期工作漏源电压不可超过 - 30V，栅极电压控制在 ±20V 以内。
5. 脉冲使用规范：脉冲工况严格控制脉宽、占空比，禁止长时间持续大脉冲过载。
6. 感性负载处理：驱动电机、线圈等电感负载时，依靠内置体二极管吸收反向电动势，必要增加 RC 吸收回路抑制尖峰。
7. 驱动匹配：低 4.5V 栅压工况下 RDS (on) 会明显上升，大电流负载优先选用≥-10V 栅压驱动以降低发热。
8. PCB 布线建议：漏极引脚大面积铺铜散热，栅极走线短而细，减少高频振荡与 EMI 干扰。

产品的封装形式是什么？

一、产品概述

SL2347 是 SOT-23 贴片封装沟槽型 P 沟道功率 MOS 管，丝印 S47，额定漏源耐压 - 30V、连续电流 - 5A，采用高密度沟槽芯片工艺，具备低导通电阻、低栅电荷、高速开关特性，内置源漏体二极管。适配 12/24V 锂电池保护、主板负载开关、低压电源管理等高侧开关场景，3 脚标准 SOT-23 封装，兼容全自动 SMT 贴片生产。引脚定义（俯视）：1-D 漏极，2-G 栅极，3-S 源极。

二、产品特性

1. 器件规格：增强型 P 沟道 MOSFET，SOT-23 小型贴片封装
2. 耐压参数：VDSS=-30V；栅源耐压 VGS=±20V
3. 电流能力（Ta=25℃）
   • 连续漏极电流 ID：-5A
   • 脉冲峰值电流 IDM：-21A
   • 体二极管连续正向电流 IS：-5A
4. 导通电阻 RDS (on)
   • VGS=-10V、ID=-3A：典型 35mΩ，最大 45mΩ
   • VGS=-4.5V、ID=-2A：典型 48mΩ，最大 70mΩ
5. 栅阈值电压 VGS (th)：-1V ~ -2.5V（典型 - 1.5V）
6. 栅极电荷：VDS=-15V、ID=-3A 时总 Qg 典型 7.5nC，驱动功耗低
7. 开关速度：纳秒级开关延时，开通延迟 3.3ns、关断延迟 18ns
8. 额定功耗：Ta=25℃单管 PD=1.25W，热阻 RθJA 最大 113℃/W
9. 温度区间：结温 - 50℃ ~ +150℃，存储温度同范围
10. 内置体二极管，可吸收电感反向电压尖峰

三、产品优势

1. 低导通损耗：高密度沟槽工艺，4.5V 低压驱动下导通电阻控制在 70mΩ 以内，大电流发热少，电源效率更高。
2. 低压逻辑直驱：4.5V 主控 IO 可直接驱动，无需额外负压升压电路，简化外围电路。
3. 高速低栅电荷：总栅电荷仅 7.5nC，高频 PWM 开关损耗小，适合快充、高频负载切换。
4. 大电流小型封装：SOT-23 小体积可承载 5A 持续电流，节省 PCB 布线空间，适合小型便携设备。
5. 脉冲耐受强：短时脉冲电流可达 - 21A，可承受上电、插拔瞬时冲击电流。
6. 宽温稳定：-50~150℃全温域可靠，车载、户外、工业低温设备均可使用。
7. 集成续流二极管，省去外部肖特基，降低 BOM 物料数量与成本。
8. 标准通用封装：SOT-23 行业通用，贴片良率高，批量采购成本低。

四、应用领域

1. 锂电池充放电保护板、充电宝功率高侧开关
2. 笔记本、平板、穿戴设备负载电源开关
3. 12V 小型直流风扇、微型电机控制回路
4. DC-DC 升压 / 降压高侧功率开关
5. 车载低压控制模块、LED 背光驱动
6. 工业小型传感器电源管理电路
7. 小家电、智能门锁电源切换回路

五、注意事项

1. 电压极性区分：P 沟道 MOS，VDS、VGS 均为负压，接线极性不可接反，避免栅极击穿。
2. 电流与散热降额：环境温度升高需降低工作电流；PCB 加大漏极铺铜改善散热，防止结温超过 150℃。
3. 栅极防静电：MOS 栅极输入阻抗极高，仓储、焊接、装配全程做好静电防护，杜绝静电损坏栅氧化层。
4. 电压限值：长期工作漏源电压不可超过 - 30V，栅极电压控制在 ±20V 以内。
5. 脉冲使用规范：脉冲工况严格控制脉宽、占空比，禁止长时间持续大脉冲过载。
6. 感性负载处理：驱动电机、线圈等电感负载时，依靠内置体二极管吸收反向电动势，必要增加 RC 吸收回路抑制尖峰。
7. 驱动匹配：低 4.5V 栅压工况下 RDS (on) 会明显上升，大电流负载优先选用≥-10V 栅压驱动以降低发热。
8. PCB 布线建议：漏极引脚大面积铺铜散热，栅极走线短而细，减少高频振荡与 EMI 干扰。