产品展示
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SL40P05Y低压MOS管

SL40P05Y 是 SOT-23 贴片封装高密度沟槽型 P 沟道功率 MOS 管,额定漏源耐压 - 40V,连续漏极电流 - 4.4A,具备超低导通电阻、完整雪崩特性,封装散热性能优异,支持高频硬开关与 DC-DC 功率变换电路,适合 24V 系统高侧电源开关、同步整流、大功率负载切换场景,标准 3 脚 SOT-23 封装,适配全自动 SMT 贴片生产。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SL40P05Y

商品封装:SOT-23​

包装方式:编带

商品毛重:0.03克(g)

一、产品概述

SL40P05Y 是 SOT-23 贴片封装高密度沟槽型 P 沟道功率 MOS 管,额定漏源耐压 - 40V,连续漏极电流 - 4.4A,具备超低导通电阻、完整雪崩特性,封装散热性能优异,支持高频硬开关与 DC-DC 功率变换电路,适合 24V 系统高侧电源开关、同步整流、大功率负载切换场景,标准 3 脚 SOT-23 封装,适配全自动 SMT 贴片生产。

二、产品特性

  1. 器件类型:增强型 P 沟道功率 MOSFET,SOT-23 小型贴片封装
  2. 耐压参数:VDSS=-40V,栅源耐压 VGS=±20V
  3. 电流指标(TA=25℃)
    • 连续漏极电流 ID:-4.4A
    • 脉冲峰值电流 IDM:-15A
    • 体二极管连续正向电流 IS:-4A
  4. 导通电阻 RDS (on)
    • VGS=-10V、ID=-2A:典型 77mΩ,最大 90mΩ
    • VGS=-4.5V、ID=-1A:典型 115mΩ,最大 150mΩ
  5. 栅阈值电压 VGS (th):-1.0V ~ -2.5V,典型 - 1.8V
  6. 栅电荷与开关:总 Qg 典型 14nS,纳秒级开关延时,适配高频硬开关电路
  7. 雪崩特性完整标定,感性冲击工况可靠性更高
  8. 额定功耗:TA=25℃最大耗散功率 PD=1.2W,热阻 RθJA=104℃/W
  9. 温度区间:结温 - 55℃ ~ +150℃,宽温稳定工作
  10. 内置源漏体二极管,可吸收电感反向电压尖峰

三、产品优势

  1. 超低导通损耗高密度沟槽芯片,-10V 驱动下最大仅 90mΩ,大电流发热低,电源转换效率高。
  2. 40V 高压规格适配 12V/24V 工控、车载锂电系统,适用电压范围更广。
  3. 完整雪崩测试出厂标定雪崩电压与电流,电机、线圈等感性负载不易损坏。
  4. 高低压驱动兼容-4.5V 逻辑电平可直接驱动,无需负压升压电路。
  5. 大脉冲耐受短时脉冲电流可达 - 15A,承受上电、插拔冲击能力强。
  6. 优异封装散热SOT-23 优化引脚布局,热阻更低,同等电流温升更小。
  7. 高频硬开关适配栅电荷控制优良,高频 DC-DC、硬开关电路损耗低。
  8. 通用标准封装SOT-23 行业通用,采购成本低,自动化贴片良率高。

四、应用领域

  1. 12V/24V 锂电池保护、大功率充电宝高侧开关
  2. DC-DC 升降压、同步整流功率变换电路
  3. 工业小型直流电机、风扇驱动控制回路
  4. 车载低压电源管理、LED 大功率驱动
  5. 工控主板多路电源切换、负载开关
  6. 高频硬开关功率电路、快充辅助开关
  7. 安防设备、便携式大功率仪器供电回路

五、注意事项

  1. 极性区分P 沟道 MOS,VDS、VGS 均为负压,接线极性不可接反,防止栅极击穿。
  2. 散热降额高温环境需加大漏极 PCB 铺铜,结温严禁超过 150℃;温升明显时降低工作电流。
  3. 静电防护MOS 栅极阻抗极高,仓储、焊接全程防静电,避免静电击穿栅氧化层。
  4. 电压限值长期工作漏源电压不超过 - 40V,栅极电压控制在 ±20V 以内。
  5. 感性负载处理驱动电机、电感时依靠体二极管续流,高频场景增加 RC 吸收抑制电压尖峰。
  6. 驱动选型大电流工况优先采用 - 10V 栅压驱动,降低 RDS (on) 减少发热;仅小负载使用 - 4.5V 驱动。
  7. 脉冲规范脉冲电流仅短时允许 - 15A,禁止长时间持续大脉冲过载。
  8. PCB 布线漏极引脚大面积铺铜散热,栅极走线短细,降低高频 EMI 振荡。

名称
标题
说明
SL40P05Y SOT-23.pdf
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0755-83044319

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