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产品展示
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一、产品概述
2N7002DW 是 SOT-363 超微型封装双 N 沟道增强型 MOS 管，一颗封装集成两路独立小信号 MOS，引脚定义：1/4 源极 S、2/5 栅极 G、3/6 漏极 D。器件耐压 60V，支持最高 800mA 脉冲电流，开关速度快、输入电容小，适合小型便携设备、传感器、信号切换、低压小负载开关，超小体积大幅节省 PCB 空间，适配全自动微型元件 SMT 贴片。
二、产品特性
- 器件结构：双路独立 N 沟道 MOS，SOT-363 超微型贴片封装
- 耐压规格：漏源击穿电压 BVDSS=60V；栅源电压 ±20V，脉冲栅压 ±40V
- 电流参数（Ta=25℃）
- 连续漏极电流 ID：115mA
- 脉冲漏极电流 IDM：800mA
- 功耗与温度：单管最大功耗 200mW；工作 / 存储结温 - 55℃~+150℃
- 栅阈值 VGS (th)：1V ~ 2.5V（测试条件：VDS=VGS=10V，ID=250μA）
- 导通参数（RDS (on) 换算）
- VGS=5V，ID=50mA 时 VDS (on) 最大 1.5V → RDS (on) 最大 30Ω
- VGS=10V，ID=500mA 时 VDS (on) 最大 3.75V → RDS (on) 最大 7.5Ω
- 动态电容：Ciss 最大 50pF、Coss 最大 25pF、Crss 最大 5pF，电容值小驱动损耗低
- 开关速度：开通 ton≤20ns、关断 toff≤20ns，高速信号切换
- 低漏电：VDS=60V 时 IDSS≤1μA；栅漏电流 IGSS≤100nA，待机功耗低
- 单封装两路 MOS，两路电气参数完全一致，可独立使用
三、产品优势
- 双管合一超小封装 SOT-363 体积远小于两颗分立 SOT-23，大幅缩减 PCB 占用面积，适合穿戴、耳机、微型传感器。
- 60V 高耐压余量 相比 20/30V 小信号 MOS，耐受电压更高，适配 12/24V 小型控制回路。
- 高速低电容 输入电容极小，纳秒级开关，适合高频数字信号切换、逻辑门控。
- 脉冲电流充足 短时峰值 800mA，可应对上电瞬时冲击电流。
- 高低压驱动兼容 5V/10V 主控 IO 均可驱动，通用 MCU 无需升压电路。
- 两路独立互不干扰 可分别用作两路负载开关、差分信号控制，简化外围电路。
- 极低静态漏电 高阻关断状态漏电流微安级，电池设备待机耗电更少。
- 标准微型贴片，自动化贴片良率高，批量物料成本更低。
四、应用领域
- TWS 蓝牙耳机、智能手环、微型穿戴设备多路电源门控
- 传感器信号切换、高低电平逻辑控制、模拟开关
- 小型小家电控制板、遥控板指示灯驱动
- 摄像头模组、微型仪器小负载开关
- 12V 以内低压信号隔离、电平转换电路
- 笔记本、平板周边微型外设电源控制
- 智能家居无线模块、小型继电器预驱动
五、注意事项
- 电流降额设计 连续工作电流不可超过 115mA，仅短时允许 800mA 脉冲，长时间大电流会超温损坏。
- 电压限制 漏源长期电压≤60V；栅极直流电压控制在 ±20V 内，脉冲栅压不超 ±40V。
- 静电防护 MOS 栅极高阻抗，仓储、焊接、取放全程防静电，防止栅氧化层静电击穿。
- 散热约束 SOT-363 封装散热能力弱，大负载工况增加铜箔散热，结温严禁超过 150℃。
- 两路独立使用 封装内两路 MOS 互不共通，布线时两路回路分开，避免串扰。
- 感性负载处理 驱动小型线圈、继电器时增加续流二极管吸收反向电压尖峰。
- 驱动电阻匹配 高频应用栅极串联 10~50Ω 电阻，抑制振荡、降低 EMI 干扰。
- 焊接管控 微型元件回流焊峰值温度不超过 260℃，缩短高温停留时间，防止塑封翘皮。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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