SL4430A低压MOS管

SL4430A 是萨科微采用高密度沟槽工艺打造的 30V 大电流 N 沟道功率 MOS，标准 SOP-8 贴片封装，额定连续电流 18A，具备超低导通电阻、低栅电荷、优良抗 dv/dt 特性，支持高频同步降压、服务器 / 笔记本供电、大功率负载开关等场景。器件无卤环保，散热表现优异，单管最大功耗 3W，适合大电流高频电源变换电路。引脚布局（SOP-8 俯视）：多 D 漏极并联引脚，S 源极，G 栅极。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SL4430A

商品封装:SOP-8

包装方式:编带

商品毛重:0.179633克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

二、产品特性

基础规格：单 N 沟道沟槽功率 MOS，SOP-8 贴片封装，无卤 RoHS 绿色器件
耐压参数：VDSS=30V；栅源耐压 VGS=±20V
电流能力（TC=25℃）
- 连续漏极电流 ID=18A
- 脉冲峰值电流 IDM=80A
- 体二极管持续正向电流 IS=18A
导通电阻 RDS (on)
- VGS=10V，ID=18A：典型 4.7mΩ，最大 5.5mΩ
- VGS=4.5V，ID=15A：典型 6.5mΩ，最大 7.5mΩ
栅阈值 VGS (th)：最小值 1V，典型 1.5V，最大值 2.5V
动态开关参数 总栅电荷 Qg 典型 54nC，开关延时纳秒级，抑制 dv/dt 能力优秀，降低高频振荡与 EMI
热性能：TC=25℃最大功耗 PD=3W，热阻 RθJA 最大 40℃/W
温度区间：结温、存储温度 - 55℃ ~ +150℃
漏电指标：关态漏极电流 IDSS≤1μA，栅极漏电 IGSS≤±100nA，静态损耗极低
内置源漏体二极管，可承载 18A 持续续流电流

三、产品优势

极低导通内阻毫欧级 RDS (on)，18A 大电流工况发热极小，大幅提升电源转换效率。
超大电流承载SOP-8 封装支持 18A 持续、80A 脉冲电流，适配大功率 DC-DC 同步整流。
低栅电荷 + 抗 dv/dt栅电荷控制优异，高频电路开关损耗低，不易产生电压振荡。
4.5V 低压直驱10V/4.5V 两种驱动适配，5V 主控可直接驱动，无需升压电路。
优良散热设计SOP-8 多漏极并联引脚，搭配 2oz 铜箔热阻仅 40℃/W，温升控制优秀。
宽温稳定-55℃~150℃工作区间，笔记本、服务器、工业电源高低温环境均可稳定运行。
无卤环保符合 RoHS 无卤标准，满足工控、网络设备环保采购要求。
脉冲耐受能力强短时 80A 峰值，应对开机冲击、电感尖峰可靠性更高。

四、应用领域

笔记本、台式机、显卡高频同步 Buck 降压电源
服务器、网络通信设备大功率 DC-DC 变换系统
工业大电流负载开关、锂电池大功率放电回路
多相 CPU/GPU 供电同步整流功率管
便携式大功率快充、储能模块开关器件
车载低压大功率电源转换电路
大功率电机、风扇驱动低压功率回路

五、注意事项

电压限值长期漏源电压不可超过 30V，栅极电压控制在 ±20V 以内，防止器件击穿。
散热设计满载 18A 必须搭配大面积 2oz 铜箔铺铜；环境 / 芯片温度升高时降额使用，结温严禁超过 150℃。
静电防护MOS 栅极阻抗极高，生产、焊接、维修全程防静电，避免静电损坏栅氧化层。
驱动选型大电流高频工况优先使用 10V 栅压，降低导通损耗；轻载可使用 4.5V 逻辑驱动。
感性负载处理驱动电感、电机时依靠内置体二极管续流，高频电路增加 RC 吸收回路抑制尖峰。
脉冲规范80A 仅短时脉冲允许，禁止长时间持续大脉冲过载，防止过热烧毁。
PCB 布线所有 D 漏极引脚全部铺铜并联散热，栅极走线短细，串联小电阻抑制高频 EMI 振荡。
并联使用多管并联均流时保证走线阻抗一致，避免单管电流过载。

名称

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说明

SL4430A SOP-8.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！