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SL0D05AP低压MOS管
SL0D05AP 是萨科微（Slkor）沟槽工艺 - 30V P 沟道功率 MOS，采用 SOT-89-3L 贴片封装，额定连续电流 - 5A，高密度芯片设计实现低导通电阻，封装散热结构优良，总栅电荷小、开关速度快。支持 - 4.5V 低压逻辑驱动，适用于各类锂电池供电设备、DC-DC 转换、电源时序负载开关，体积小巧，适配高密度 PCB 与全自动 SMT 量产。引脚俯视：D 漏极、G 栅极、S 源极。
品牌名称:Slkor(萨科微)
商品型号:SL0D05AP
商品封装:SOT-89-3L
包装方式:编带
商品毛重:0.1456克(g)
一、产品概述
SL0D05AP 是萨科微（Slkor）沟槽工艺 - 30V P 沟道功率 MOS，采用 SOT-89-3L 贴片封装，额定连续电流 - 5A，高密度芯片设计实现低导通电阻，封装散热结构优良，总栅电荷小、开关速度快。支持 - 4.5V 低压逻辑驱动，适用于各类锂电池供电设备、DC-DC 转换、电源时序负载开关，体积小巧，适配高密度 PCB 与全自动 SMT 量产。引脚俯视：D 漏极、G 栅极、S 源极。
二、产品特性
- 基础规格：单路 P 沟道增强型 MOS，SOT-89-3L 贴片封装，无铅、RoHS、无卤环保器件
- 耐压参数：漏源击穿电压 VDSS=-30V；栅源耐压 VGS=±20V
- 电流能力（TA=25℃）
- 连续漏极电流 ID=-5A
- 脉冲峰值电流 IDM=-23A
- 体二极管持续正向电流 IS=-5A
- 功耗与热性能：TA=25℃最大耗散功率 PD=1.9W，结环热阻 RθJA=65℃/W
- 温度区间：结温、存储温度 - 50℃ ~ +155℃
- 导通电阻 RDS (on)
- VGS=-10V，ID=-5A：典型 40mΩ，最大 60mΩ
- VGS=-4.5V，ID=-4A：典型 56mΩ，最大 90mΩ
- 栅阈值 VGS (th)：最小值 - 1V，典型 - 1.5V，最大值 - 2.5V
- 动态开关参数 总栅电荷 Qg 典型 12nC，输入电容 Ciss=520pF；开通延迟 7ns、上升 13ns；关断延迟 14ns、下降 9ns，切换损耗低
- 漏电指标：关态 IDSS≤-1μA，栅极 IGSS≤±100nA，待机功耗极低
- 内置源漏体二极管，IS=-5A 时正向压降最大 - 1.2V，可用于电感续流
三、产品优势
- 小封装承载 5A 电流 SOT-89 体积紧凑，适合耳机、穿戴、小家电等空间受限产品。
- 高低压驱动兼容 -4.5V MCU IO 可直接驱动，无需额外负压转换电路。
- 低导通内阻、发热小 -10V 驱动下最大仅 60mΩ，大电流回路转换效率更高。
- 低栅电荷、高速开关 纳秒级切换，适合高频 DC-DC、PWM 电源管理。
- 强脉冲耐受 短时峰值 - 23A，可承受开机、插拔瞬时浪涌电流。
- 优良封装散热 SOT-89 加宽引脚布局，同等电流温升优于同规格 SOT-23 器件。
- 宽温稳定 -50~155℃工作区间，车载、户外数码均可稳定运行。
- 标准化贴片封装，编带出货，贴片良率高，批量成本低。
四、应用领域
- 锂电池产品电源主控、大功率充电宝高侧负载开关
- 低压 DC-DC 升降压变换器、同步整流 P 沟道功率管
- 笔记本、平板、工控板电源时序控制开关
- TWS 耳机、智能手环、便携仪器供电回路
- 小型直流风扇、微型电机低压驱动电路
- 智能家居模块、无线收发器电源门控
- 12V 以内小型车载设备电源管理
五、注意事项
- 极性不可接反 P 沟道 VDS、VGS 均为负压，接线颠倒会击穿栅氧化层。
- 散热降额 SOT-89 热阻偏大，满载 5A 需加宽漏极铜箔；环境升温时降低工作电流，结温不超 155℃。
- 静电防护 MOS 栅极高阻抗，仓储、焊接、装配全程防静电操作。
- 电压限值 长期漏源电压不超过 - 30V，栅极控制在 ±20V 以内。
- 感性负载处理 驱动线圈、电机依靠内置二极管续流；高频增加 RC 吸收抑制电压尖峰。
- 驱动选型 大电流工况优先使用 - 10V 栅压降低 RDS (on)；轻载可使用 - 4.5V 逻辑驱动。
- 脉冲规范 -23A 仅短时脉冲允许，禁止长时间大脉冲持续工作。
- PCB 布线 漏极走线短粗铺铜散热；栅极走线细短，串联小电阻抑制高频 EMI 振荡。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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